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Growth and Temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
Growth and Temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
上传者:
38658085
|
上传时间: 2021-02-07 16:04:05
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文件大小: 160KB
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文件类型: PDF
研究论文
Growth and Temperature-depending Raman characterization of different nitrogen-doped 4H-SiC crystals
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