衰减的拓扑缺陷引起的暗物质

我们通过衰减拓扑缺陷（特别是宇宙弦）研究暗物质的产生。 在拓扑缺陷或``自上而下''（TD）方案中，暗物质注入速率随幂次随时间变化，指数为p-4。 我们找到了所有p <3/2的收益率的封闭式公式，该公式可以精确地重现Boltzmann方程的解。 我们研究了由宇宙串引起的两种情况（p = 1，p = 7/6），这些宇宙串衰减成具有高分支分数的TeV尺度状态，变成了暗物质粒子。 对于通过s波或p波消灭的暗物质模型，我们找到了参数空间的区域，在该区域中TD模型可以解释由普朗克测量的暗物质残留物密度。 我们发现，即使标准冻结计算低估了文物密度，拓扑缺陷也可能是暗物质的主要来源，因此可能导致暗物质an灭率的潜在``提升因子''增强。 我们研究了由于单一性导致的这种情况下与暗物质模型无关的限制，并讨论了来自间接暗物质搜索实验的示例与模型有关的限制。 在所研究的四种情况下，具有明显通道进入TeV尺度状态的弦的Gμ的上限比当前的宇宙微波本底限值严格得多。