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纳米结构的VO2薄膜,具有高透明度,在THz范围内具有更高的开关率
纳米结构的VO2薄膜,具有高透明度,在THz范围内具有更高的开关率
上传者:
38545485
|
上传时间: 2021-03-02 21:06:09
|
文件大小: 1.64MB
|
文件类型: PDF
研究论文
我们研究了半导体VO2薄膜的太赫兹(THz)传输特性及其在相变后的THz抑制行为。 通过溶胶-凝胶法沉积VO2薄膜,并提出了随着薄膜厚度的增加而发生表面纳米晶化的原位生长。 形态学引起的渗流导致半导体VO2薄膜具有较高的THz透明性,而更紧凑的纳米结构可以解释金属薄膜中THz转换比的提高。 这些结果可能会为THz器件应用的VO2薄膜的人工设计提供见识。
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