NT5TU64M16GG-DDR2-1G-G-R18-Consumer.pdf

1 千兆位 (1Gb) 双倍数据速率 2 (DDR2) DRAM 是一种高速 CMOS 双倍数据速率 2 SDRAM 包含 1,073,741,824 位。它在内部配置为八进制存储体 DRAM。 1Gb 芯片组织为 32Mbit x 4 I/O x 8 bank、16Mbit x 8 I/O x 8 bank 或 8Mbit x 16 I/O x 8 bank 设备。这些 同步器件可实现高达 1066 Mb/sec/pin 的高速双倍数据传输速率，适用于一般应用。 该芯片旨在符合所有关键的 DDR2 DRAM 关键特性：(1) 具有附加延迟的已发布 CAS，(2) 写入 延迟 = 读取延迟 -1，(3) 正常和弱强度数据输出驱动器，(4) 可变数据输出阻抗 (5) ODT (On-Die Termination) 功能。 所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入是 锁存于差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK 下降）。所有 I/O 均与单端同步 源同步方式中的 DQS 或差分 DQS 对。用于 x4/x8 组织组件的 13 位地址总线 x16 组件的 12 位地址总线用于传送行、列和组地址设备。 这些器件采用 1.8V ± 0.1V 单电源供电，采用 BGA 封装。