1. 引言
本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器。下面介绍该型号功率放大器的电路结构和设计步骤。
2．50MHz/250W射频功率放大器的设计
高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同，以下50MHz/250W功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频功率放大器的设计方法。
2.1射频功率MOSFET管ARF448A/B的特点
2021-12-22 17:20:32
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2021-12-15 21:09:06
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MOSFET一级模型(Level=1)
描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应.
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KP=µCox本征跨导参数
Cox =ox/Tox单位面积的栅氧化层电容
LO有效沟道长度, L版图栅长,
LD沟道横向扩散长度
非饱和区
饱和区
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第3部分
Mosfet Models for Spice Simulation, Including BSIM3v3 and BSIM4.part3
2021-12-09 13:51:18
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TC4426A/TC4427A/TC4428A 双路高速功率 MOSFET 驱动芯片
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