ThermoCalc是用于计算房间的散热（热量损失）的程序，该程序基于用于建造墙壁的墙壁材料

本资料，作为客户热量设计时的参考，关于本公司的热阻的各参数定义、测量方法等在此进行解说。 ■背景 通常，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升 10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。Si 半导体在 Tj 超过了 175℃时就有可能损坏。由此，使用时就必须极力降低 Tj，以容许温度（通常 80～100℃）为目标进行热量设计。但是，对于功率器件那样的高输出元件，要把 Tj 抑制在容许温度以下其实是比较困难的，所以通常以规格书里揭载的最高容许温度的 80%为基准来设计 Tj。另外、即使器件的封装相同，根据器件的芯片尺寸、引线框架的定位尺寸、实装电路板的规格等不同、热阻值也会发生变化，需要特别注意。

我们表明，为了获得对离子-离子碰撞中带电粒子的横向矩分布的成功描述，必须包含一个热发射项。 发射的温度Tth与饱和度成正比，Tth = 1.8Qs /2π。 提出了在彩色玻璃冷凝物/饱和方法中计算横向矩谱的形式，其中可以看到该过程的两个阶段：彩色玻璃冷凝物的产生和胶子射流的强子化。 我们的计算基于以下观察结果：即使对于较小的pT，偶极子尺寸积分的主要贡献也来自饱和动量附近的运动区域，理论上我们知道散射幅度。 强子化模型中应包括非扰动校正。 该模型结合了有效质量为meff2 =2Qsμsoft的胶子射流的衰减，其中μsoft表示软标度，在所有横向动量值上均具有碎裂功能。 我们使用Kharzeev-Levin-Nardi模型，该模型提供了一种简单的方法来估计不同中心度类别的横截面。 将本文的结果与质子-质子散射的横向分布进行比较，我们看到了两个主要区别。 首先，根据所产生的彩色玻璃冷凝物的更高的部分密度，需要更大的热辐射项贡献。 第二，即使不使用热辐射项而更改强子化的模型，我们也无法描述pT谱。 因此，我们推测热辐射项的存在与约束模型无关。

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手性磁效应（CME）-沿夸克-胶子等离子体和其他拓扑非平凡介质中的外部磁场方向上的正电荷和负电荷的分离-是电动力学与拓扑胶子场波动耦合的结果， 形成亚稳态CP奇数域。 在现象学模型中，通常假定畴是均匀的，并且畴壁对电流的影响不是必需的。 本文对后一个假设提出挑战。 引入并解析求解了一个简单模型，该模型由一个在均匀的随时间变化的磁场中的均匀球形域组成。 结果表明：（i）没有电流流入或流出域； （ii）电荷分离电流，即。 在畴内沿外场方向流动的总电流为耗散欧姆电流。 （iii）CME效应可由异常电流或畴壁上的边界条件产生； （iv）在外部电场衰减很久之后，等离子体中的电荷分离电流振荡。 在无限的介质中，这些性质与CME在质上有所不同。

我们表明，相对论手性费米子的热旋转流体具有与沿旋转轴的能量密度和手性密度波的相干传播相关的新的无间隙集体模式。 这种模式，我们称为手性热波，是由于混合的标距-重力异常而出现的。 在有限的密度下，手性热波耦合到手性涡流波，而在存在外部磁场的情况下，它与手性电磁波混合。 还证明了手性电磁波和手性涡旋波的耦合。 我们发现，与单个波的速度相比，耦合波（即矢量，轴向和能量流的相干波动）通常具有不同的速度。

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