MOSFET／IGBT驱动集成电路及应用--人邮出版社--王水平 著--2009[337页]

该资料是经过本科阶段和研究生阶段积累的一些关于Altium Designer的原理图库和封装库，包括做电赛和做项目用到的常规封装、3d封装和一点点不常用的特殊封装。这里面主要包括电阻、电容、电感、运放、比较器、按键、LED灯、板载天线、DAC、ADC、显示屏、电源芯片、射频芯片、各种单片机（51、Atmel、MSP430、stm32)、各种接口（排针、排母、电源接口、信号接口、调试接口、FPC接口、miniUSB接口、Micro USB接口和USB A接口）。符号与封装是分开的，方便集成使用，希望该资料有所帮助。

这是cadence16.2原理图下，配置元器件数据库管理的一个方法实践。

国产元器件库

基于dos界面的c语言开发的电子元器件管理系统，用.txt文本文件存储数据。

AD元件库

详细介绍了IGBT有源钳位测试平台的搭建，测试中需要关注的参数，对驱动电路设计的验证，对IGBT关断的有效保护。

根据输出频率，决定 MOSFET 的导通时间和关断时间，并产生栅极脉冲。 我们需要 50Hz 的交流电源，因此一个周期 (0 < t < 2π) 的时间周期为 20 毫秒。 如图所示，MOSFET-1 在前半个周期 (0 < t < π) 被触发，在此期间 MOSFET-2 未被触发。 在此时间段内，电流将沿箭头方向流动，如下图所示，完成交流输出的半个周期。 来自负载的电流从右到左，负载电压等于+Vdc/2。在后半周期（π < t < 2π），MOSFET-2 被触发，较低的电压源与负载连接。 来自负载的电流从左到右方向，负载电压等于 -Vdc/2。 在这段时间内，电流将如图所示流动，交流输出的另一半周期完成。 半桥逆变器在 MATLAB 中的仿真 对于仿真，在来自 Simulink 库的模型文件中添加元素。 1) 2 个直流电源 – 每个 50V 2) 2 个 MOSFET 3

AUDIO-IGBT器件静电防护注意事项.pdf

IGBT驱动保护技术，利用pspice对电路的工作状态和过流保护状态进行仿真，结果证明改进的驱动保护可以解决现有逆变器存在的问题