MOSFET选型教程,适用于各阶段电子工程师参考，文档讲的比较详细，是难得的资料。

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MOSFET管经典驱动电路设计大全MOS管驱动电路设计资料（工作原理+电路设计+问题总结），可以做为你的学习设计参考、

本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计，见附件下载其原理图和测试代码等。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω(上桥+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图: 双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器特点: 1、具有电源指示、控制输出指示。 2、转速可调、工作方式，工作电流、衰减方式均可通过拨码开关调节 3、抗干扰能力强 4、具有温度保护和过电流保护 5、可单独控制多种规格的两相混合式步进电机 6、可实现最大功率160W 附件资料截图:

1、资源内容：讲解了MOS管在实际应用中导致米勒震荡的成因，以及在逆变电路中寄生电压产生的原因。 2、使用人群：硬件工程师，电力电子方向工作的技术人员。 3、创作目的：和广大工程师一起交流一起成长。

参考资料-MOSFET器件性能.zip

功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一,主要应用于现代电子系统的功率处理单元,是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一.本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围,阐述了功率半导体器件与集成技术的发展现状和趋势,给出了未来技术发展路线图,最后梳理了未来技术发展的若干问题.

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.zip

最大限度降低器件和印刷电路板(PCB)的寄生电感和电容是重要的设计考虑因素，可减少不希望的噪声。要在不同应用中驱动快速开关超级结MOSFET，必须对器件寄生效应影响和PCB布局寄生效应影响都了解。设计适合快速开关超级结MOSFET的栅极驱动电路时有许多因素需考虑。关于最大限度减少不必要的噪声有几项主要准则。