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依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58.3 dB 。

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设计一个放大器系统，当电阻值变化±2%时，放大电路能够产生±10V的输出电压。要求偏差为0时输出为0，偏差为1%时输出为8V，偏差为-1%时输出为-8V，误差不超过±5%。

带keil4编写的代码程序以及生成好的hex文件，也有proteus8.6的仿真文件，12位按键，带清零功能。三次密码错误键盘锁死报警，延时10s，恢复初始界面，1602液晶显示。有密码重置功能。初始密码6个0

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