该设计实际应用效果良好，温度控制在750℃下，控制精度可达±3℃。与单片机温控系统相比，该温控电路最大特点是设计简便，调试过程也易于实现，工作状态稳定可靠，实用性强。可应用于工业、农业生产及实验室等需要进行温度控制的场所。
2021-12-19 19:14:27
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/* 常用国产双极型晶体管（BJT）Multisim 10.0元件库 */
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/* by phoenix */
/* sagegao2008@126.com */
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包含器件型号：
SS8050/SS8550/SS9012/SS9013/SS9014/SS9015
详细使用方法：
1. 双击“GB-BJT.prz”导入Multisim，出现“Database Merge”界面后点击“start”，在接下来的“Duplicate Component Name”界面上点击“ok”进行导入，完成后点击“close”关闭导入界面。默认导入到用户数据库中并自动命名重复器件。
2. 在Multisim中选择用户数据库的“Transistor”类，可以看到导入的器件，选择并使用。
3. 附带一个分别测试PNP/NPN管的单管共发射极放大器电路“TEST_BJT.ms10”（Multisim 10.0版本）。
注意：
1. 本元件库在Multisim 10.0下进行制作，其它版本下可能无法使用。
2. 数据库基于网络下载的SPICE模型制作，本人不保证其仿真结果与实际电路的一致性（理论上只要SPICE模型足够精确，仿真结果与实际电路还是比较吻合的，否则NI早就被人告上法庭了）。
2021-12-16 22:46:15
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多个飞思卡尔大功率射频晶体管大信号模型，ADS等仿真软件可用，首先安装RF-POWER-ADS2020v2p1-DK文件，其次剩余模型选择安装即可使用，同时这也支持ADS原库上的模型使用。
2021-12-14 15:45:50
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D-PAK封装TO封装SOT封装晶体管二极管三极管MOS管3D模型封装库（STEP后缀）：
D-PAK
Diode-SMA.SLDPRT
Diode-SMD-1206.SLDPRT
SOT-223-DEFAULT.SLDPRT
SOT封装
TO-92B.SLDPRT
TO封装
三极管
二极管
场效应管
整流桥
稳压器件
2021-12-08 13:06:40
6.21MB
里面包括绚丽的仪表盘控件，圆形，椭圆形，方形的按钮，晶体管数字控件，Knob、Led等。源码需要用老一点的VS才行，在TestApp目录下有这几个控件的dll，VS2017亲测可用。
2021-12-05 17:27:50
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氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压，GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。
一、氮化镓（GaN）器件介绍:GaN器件分为两种类型:
耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。
增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。
GaN VS MOSFET:
他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。
二、手机快充介绍:能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。
实现手机快速充电方法:
1.电压不变，提高电流；
2.电流不变，提升电压；
3.电压、电流均提高。
手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。
三、氮化镓（GaN）快充:氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。
氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分
充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。
电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。
转载自唯样电子资讯。
2021-11-28 14:49:16
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