1. 晶振与晶体的区别 2. MEMS硅晶振与石英晶振区别 3. 晶体谐振器的等效电路

1. WH5-1A 、WH5-2A 、WHI18-1 ， WH118-2 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3- 门所示.它们的主要参数见表3-6。 该组电位器的外形如图3-12 所示，它们的主要参数见表3-7 。 3. WH121-1 , WH121-1A 、WH121-2 型绝缘釉合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-13 所示，它们的主要参数见表3-8 。 4. WH09-1 , WH09-2 , WH0912-1 、WH0912-2 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-14 所示，它们的主要参数见表3-9 。 5 , WH130-2 、WH125 、WH155 、WH165 型合成破膜电位器该组电位器的外形如图3-15 所示，它们的主要参数见表3-10 。 6. WH109-1 、WH109-2 、WH142-1、WH142-3 型合成碳膜电位器该组电位器的外形如图3-16 所示，它们的主要参数见表子3-11。 7. WH0913-A 和WH0913-B 型合成碳膜电位器WH0913-

1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下

1. MOSFET开关管工作的最大占空比Dmax： 式中：Vor为副边折射到原边的反射电压，当输入为AC 220V时反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压； VDS为MOSFET功率管导通时D与S极间电压，一般取10V。2.变压器原边绕组电流峰值IPK为： 式中：η为变压器的转换效率；Po为输出额定功率，单位为W。3.变压器原边电感量LP为： 式中：Ts为开关管的周期(s)；LP单位为H。4.变压器的气隙lg为： 式中：Ae为磁芯的有效截面积(cm2)；△B为磁芯工作磁感应强度变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。5.变压器磁芯反激式变换器功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为变压器磁芯，其功率容量AP为 式中：AQ为磁芯窗口面积，单位为cm2；Ae为磁芯的有效截面积，单位为cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的 开关频率；Bm为磁芯最大磁感应强度，单位为T；δ为线圈导线的电流密度，通常取200～300A/cm2，η是变压器的转换效率；Km为窗口填充系数， 一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数

1, linux驱动一般分为3大类： ＊ 字符设备＊ 块设备＊ 网络设备 2, 开发环境构建： ＊ 交叉工具链构建＊ NFS和tftp服务器安装 3, 驱动开发中设计到的硬件： ＊ 数字电路知识＊ ARM硬件知识＊ 熟练使用万用表和示波器＊ 看懂芯片手册和原理图 4, linux内核源代码目录结构： ＊ arch/: arch子目录包括了所有和体系结构相关的核心代码。它的每一个子目录都代表一种支持的体系结构，例如i386就是关于intel cpu及与之相兼容体系结构的子目录。 ＊ block/: 部分块设备驱动程序； ＊ crypto: 常用加密和散列算法（如AES、SHA等），还有一些压缩和CRC校验算法； ＊ documentation/: 文档目录,没有内核代码，只是一套有用的文档；＊ drivers/: 放置系统所有的设备驱动程序；每种驱动程序又各占用一个子目录：如，/block 下为块设备驱动程序，比如ide（ide.c）。如果你希望查看所有可能包含文件系统的设备是如何初始化的，你可以看 drivers/block/genhd.c中的device_se

1).简单地讲就是需能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。

1 C#与.NET的关系 C#是一种相当新的编程语言，C#的重要性体现在以下两个方面： ● 它是专门为与Microsoft的.NET Framework一起使用而设计的。(.NET Framework是一个功能非常丰富的平台，可开发、部署和执行分布式应用程序)。 ● 它是一种基于现代面向对象设计方法的语言，在设计它时，Microsoft还吸取了其他类似语言的经验，这些语言是近20年来面向对象规则得到广泛应用后才开发出来的。 有一个很重要的问题要弄明白：C#就其本身而言只是一种语言，尽管它是用于生成面向.NET环境的代码，但它本身不是.NET的一部分。.NET支持的一些特性，C#并不支持。而C#语言支持的另一些特性，.NET却不支持(例如运算符重载)！ 但是，因为C#语言是和.NET一起使用的，所以如果要使用C#高效地开发应用程序，理解Framework就非常重要，所以本章将介绍.NET的内涵。

09_数据库_完整查询_函数_ADO.NET-蒋坤

0.引言 光电开关在工业自动控制设备中应用广泛， 与机械行程开关相比， 光电开关无机械碰撞， 响应快， 控制精度高。许多包装机、印刷机、纺织机等都用其进行限位、换向及其它控制。本文介绍的红外光电开关， 由红外二极管（GaAs发光二极管、光敏二极管）集成运算放大器及继电器等构成。其特点是电路简单、抗干扰能力强、工作稳定可靠。 1.电路结构及工作原理 红外光电开关电路原理图如图1。红外发光二极管V1或V2（SE303）与电阻R1组成红外发射电路直接驱动， 产生红外光信号。红外光敏二极管或与电阻或红外线接收头构成红外接收电路直接接收， 其作用是将红外信号转换成电信号。由于红外光敏二极管的峰值波长在的红外区域， 安装时再选带有可见光截止滤波片的硅光敏二极管，环境光对它的影响就很小， 使用时一般不再对环境光进行要求。 集成运算放大器IC1-1（LM324）。与外围元件组成直流电压比较器，红外接收电路的输出直接加到IC1-1的同相端， 电位器RP中心头输出的基准直流电压加于反相端， 通过3脚与2脚的电压比较使IC1-1的输出为低电平（0.00V）或高电平（7.62V）。发光二极管VH为

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