使用FPGA读写EEPROM，经验证测试好用。

AVR单片机应用技术 单片机内部eeprom介绍.docx 学习资料 复习资料 教学资源

常用EEPROM存储器

3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模拟EEPROM资料.zip3，STM32 FLASH模

本文档教大家使用Quartus烧录EEPROM的程序。通过实际烧录过程的截图标注，配上文字的详细描述，让整个过程更加简单易懂。对刚入门的初学者是一个很好的学习文档。希望此文档能对大家的学习带来提升和帮助。

ESP8266 Microwire EEPROM 驱动程序 支持大多数 Microwire EEPROM 设备（93 系列） 适用于 x8/x16 内存阵列配置。 注意：ESP8266 SPI 硬件不支持 3 线模式。 您必须使用 4 线 SPI。 需要： : 可能的设备列表： ST M93C46/56/66/76/86（驱动基于数据表） 微芯 93LC46/56/66 爱特梅尔 AT93C46/56/66

STM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Flash_eepromSTM8示例程序（IAR环境）21-Fl

C2000,EEPROM,详细介绍了eeprom的相关操作和配置，相关寄存器配置，c2000，通用，

EEPROM程序设计概要 一、有关协议 上位机下发协议： 地址 字节数 定义 内容 0 1 帧头 见帧类型表 1 1 子帧编号 一包数据发不完，用于填写包序号 2 2 数据长度DLEN 4 DLEN 数据 DLEN可以为0，但最大不超过1024字节，否则分包发送 4+DLEN 1 校验和 串口操作E2PROM 地址 字节数 定义 内容 0 1 EEPROM操作类型 OXOA：读 OXOB：写 1 2 EEPROM操作地址 实际使用低8位，高8位填0 3 1 读写数据长度N 4 N 数据 E2PROM用于存放口1控制面积（8字节）、口2控制面积（8字节）、分辨率（4字节）、亮度值（1字节）、色温值（2字节）、GAMMA值等小数据量参数，具体定义请参照E2PROM存储结构。 E2PROM参数存储定义： 第0~7字节存储 口1控制面积参数（8字节） 第8~15字节存储口2的控制面积参数（8字节） 第16~19字节存储分辨率参数（4字节） 第20字节存储亮度参数（1字节） 第21~22字节存储色温值（2字节） 第23字节存储GAMMA参数值（1字节） 第24~255字节为保留字（232字节）

24C01--24C256共9种EEPROM的字节读写操作程序.c