研究了预、主脉冲延时这一敏感参量在低气压下对毛细管放电类氖氩46.9 nm软X光激光的影响。实验表明,采用长度20 cm(钼电极长4 cm),直径3 mm的陶瓷毛细管,当主脉冲电流峰值稳定在20~21 kA,氩气气压为38 Pa时,激光输出对应的预、主脉冲延时范围为2.5 μs
2021-02-26 15:06:29 963KB 激光技术 预-主脉 毛细管放
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研究了1064 nm激光辐照致光学薄膜分层剥落的损伤特性及其抑制手段。从光学薄膜的界面结构出发分析了温升在分层剥落产生过程中的作用,从理论上得出了剥落面积与辐照脉冲能量之间的关系式并通过实验进行验证,间接证明了分层剥落的成因; 对分层剥落的抑制、改善方法进行了理论探讨与实验,证明亚阈值能量脉冲预辐照之后剥落面积明显减小,并且在一定范围内预辐照脉冲的能量密度越高相应的效果越明显,对作用机制给出了定性解释。
2021-02-26 14:07:36 521KB 光学薄膜 激光损伤 分层剥落
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30 nm真空紫外光源
2021-02-26 14:06:27 502KB 论文
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观察到光泵Ba/He混合物产生的582.8nm碰撞诱导荧光新谱线及其弛豫振荡.进行理论分析和计算,结果与实验相符合.
2021-02-25 16:06:36 3.55MB 碰撞诱导 弛豫振荡 collision relaxatio
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通过对叠层非晶硅薄膜太阳能电池制备工艺流程的讨论, 提出了在玻璃基材上刻划透明导电氧化物(TCO)层, 非晶硅(a-Si∶H)层和背电极层时需注意的关键工艺, 合适的激光器性能参数以及加工参数, 并根据这些理论参数进行了工艺实验的验证。使用输出波长为1064 nm的调Q激光器和输出波长为532 nm的调Q倍频激光器作为光源, 采用自行设计的4路分光聚焦系统, 在1064 nm激光总功率为16 W, 单路功率为4 W; 532 nm激光总功率为3 W, 单路功率为0.75 W, 重复频率为40 kHz, 扫描速度为1.2 m/s的工作参数下得到了较理想的刻线, 同时提高了加工效率, 分析了刻划时
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报道了工作在1341 nm的激光二极管(LD)纵向抽运主被动锁模Nd:YAP激光器。该激光器采用Nd:YAP晶体作为增益介质,可饱和吸收体V3+:YAG作为被动锁模器件,声光调制器作为主动锁模器件。在抽运能量50 mJ,抽运频率10 Hz的情况下获得了0.82 mJ的脉冲串输出。该脉冲串的半峰全宽为570 ns,每个脉冲间的间隔为7.7 ns,共包含约75个脉冲,单脉冲的平均能量为11 μJ。 采用电光晶体RbTiOPO4(RTP)作腔倒空,获得了能量为160 μJ,脉宽为680 ps的单脉冲输出。采用InGaAs红外探测器测得光斑大小约为1.2 mm,激光传播因子M2约为1.5。
2021-02-09 22:05:25 1.82MB 激光器 固体激光 腔倒空 1341
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利用原子束装置测量了在紫外激光283.3 nm激发下铅原子的荧光光谱,研究了在不同激发强度下的荧光光谱特性.考虑到激发态自发辐射和光离化过程的竞争,使用三能级速率方程很好地解释了荧光强度与激发强度的关系.
2021-02-09 18:05:39 4.05MB 原子荧光 原子束光 光离化 atomio
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AUTOSAR_NM_V1.0
2021-02-09 14:03:09 355KB 网络管理
基于GaAs衬底采用全息光刻和湿法刻蚀技术制备周期孔阵图形。得出全息光刻双曝光最优曝光时间为60 s。采用H3PO4∶H202∶H2O=1∶1∶10 配比的刻蚀液,得出最佳刻蚀时间为30 s。扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试图片显示,孔阵周期为528 nm,刻蚀深度为124 nm,具有完美的表面形貌及良好均匀性和周期性。
2021-02-07 20:06:06 1.9MB 光学制造 全息光刻 双曝光 周期孔阵
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We experimentally observe polarization spectroscopy (PS) of the 1S0-3P1 transition of mercury atom gases at 253.7 nm. The PS signal can be observed in all six richly abundant isotopes and the PS signal of six transitions for laser cooling are all clear and of a dispersive line shape.The optimized pu
2021-02-07 20:05:19 542KB
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