20210817-国开证券-北方华创-002371-国内半导体设备龙头，充分受益于晶圆扩产和国产化进程.pdf
2021-08-19 09:17:08
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行业分类-作业装置- 一种集成电路晶圆再生制程的处理装置及加工方法.zip
2021-08-17 09:05:08
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20210815-国盛证券-华虹半导体-1347.HK-晶圆核心资产价值重估，无锡扩产进度亮眼.pdf
2021-08-16 09:05:36
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完整英文电子版 JEDEC JESD241：2015 Procedure for Wafer-Level DC Characterization of Bias Temperature Instabilities（偏置温度不稳定性的晶圆级 DC 表征程序）。本文档的范围是为代工厂和无晶圆厂客户提供最低通用协议，以比较 MOSFET 在商定的寿命终止 (EOL) 时的直流 BTI 引起的平均 VT 偏移具有可制造 CMOS 工艺和技术的沟道宽度、Wdes（Wdes >=Wmin – 见附件 B）和长度 Ldes 的晶体管。 BTI 比较是在假设的最差直流使用条件（VDDmax、TJmax）下提出的。 该程序适用于 pMOSFET 和 nMOSFET 晶体管的负 (VGS 0) (PBTI) BTI 条件。
2021-08-12 14:04:20
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20210808-银河证券-电子行业：晶圆代工厂商业绩超预期，行业高景气仍将持续.pdf
2021-08-10 09:04:35
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