磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上的相关剖析与探讨

很多应用都需要差分信号，以获得较高的信噪比，提高对共模噪声的抑制能力，并获得较低的二次谐波失真，例如驱动调制解调器ADC、通过双绞线电缆传输信号，以及高保真音频信号的调整等。这就要求有一种可以将单端信号转换为差分信号的电路，即单端-差分转换器。 对很多应用而言，AD8476内置的小功率全差分精密放大器就足够完成单端-差分的转换功能。但对于需要更高性能的应用，可以将一只OP1177精密运放与AD8476相级联，如图所示。这种单端-差分转换器有高的输入阻抗、（最大）2nA输入偏移电流及相对输入端的（最大）60μV偏移电压和（最大）0.7μV/℃电压偏移。 图1 : 调节R F与R G的比值，就可以设定这个单端-差分转换器。 图1中电路是一种双放大器反馈结构，其中运放决定了电路的精度以及噪声性能，而差分放大器则扮演了单端-差分转换功能。这个反馈结构抑制了AD8476的误差，包括噪声、失真、偏移、漂移，它用运放的大开环增益替代了AD8476内部的运放反馈回路。本质上，这个结构是采用运放针对输入端的开环增益，衰减了AD8476的误差。 图中的外接电阻R F和R G设定单端-差分放大器

开关电源的输入电路大都采用整流加电容滤波电路。

针对岩体破坏过程中电阻率变化问题,分析了岩石受载变形破坏过程中电阻率的演化规律,利用重整化群理论并结合岩石压缩破坏试验,研究分析岩石电阻率变化与岩石变形破坏演化阶段之间的关系,在此基础上推导出了受载条件下岩石破裂前电阻率突变所对应的应力和岩石峰值应力比值的表达式,实验室加载情况下其值大都在70%~80%,同时根据相关实验数据应力比均值约为75%,误差在±9%之内,验证了分析的合理性。

根据岩石受载变形破坏过程中视电阻率和渗透率的演化规律,分析了岩体破坏过程中视电阻率和渗透率变化的关联性,指出饱水条件下岩石变形破坏过程中视电阻率与渗透率关系密切。基于Archie公式和Carman-Kozeny公式,推导出了饱水岩石渗透率和视电阻率之间的关系式。同时,从岩石加载过程变形破坏的细观分析角度,探讨了渗透率–视电阻率关系式的合理性,进而指出了其成立的基础条件和应用意义。

模拟电路的稳定率问题是无处不在的，但在关键部位恰当地适用高质量的电阻器、电阻网络或微调电位计，可以大大提高电路的性能、应用的长期性能，也能让工程师放心地进行设计。 此外，如果一个经验丰富的设计工程师把钱集中花在少数负载偏差小、环境稳定率好的器件上，通常就不必再设计额外的补偿电路或温度控制系统，往往可以收到减少整体系统成本的功效。更高的可靠性和更好的整体系统性能也是优秀产品的要素，有助于提高产品销量和声誉。 Vishay Intertechnology公司新的高精密度Bulk Metal表贴Power Metal Strip电阻器在额定功率、+70℃条件下工作2000小时，负载寿命稳定率可以达到±0.05%，-55℃～+125℃温度范围内、+25℃参考温度，绝对TCR为±15PPM/℃，阻值精度为±0.1%。器件提供了1W的功率等级，在4端连接电路中的最大电流为18A。10mΩ～100mΩ阻值范围内的产品均已供货，无任何附加成本或额外交货时间。 CSM2512S的负载寿命稳定率比通常的检流电阻高一个数量级(0.05%比0.5%，经过1000小时使用)。在强制性平衡电子秤、开关线性电源、功

TiB2-C/C阴极材料电阻率的测定，李百松，薛济来，采用自行研制的高温电阻测试仪分别测定了石墨、含30%TiB2功能材料和TiB2-C/C功能梯度阴极试样在接近铝电解使用条件下的电阻率。研究结

1、基于光敏电阻的亮度自动调节台灯电路图 介绍的自动调光台灯能根据周围环境亮度强弱自动调整台灯发光量。当环境亮度弱，它发光亮度就增大；环境亮度强，发光亮度就减暗。 台灯电路及工作原理 该灯电路见图1.当开关S拨向位置2时，它是一个普通调光台灯。RP、C和氖泡N组成张弛振荡器，用来产生脉冲触发可控硅VS.一般氖泡辉光导通电压为60-80V，当C充电到辉光电压时，N辉光导通，VS被触发导通。调节RP能改变C充电速率，从而能改变VS导通角，达到调光的目的。R2、R3构成分压器通过VD5也向C充电，改变R2、R3分压也能改变VS导通角，使灯的亮度发生变化。 当S拨向位置1时，光敏电阻RG取代R3，当周围光线较弱时，RG呈现高电阻，VD5右端电位升高，电容C充电速率加快，振荡频率变高，VS导通角增大，电灯两端电压升高、高度增大。当周围光线增强时，RG电阻变小，与上述相反，电灯两端电压变低，高度减小。 元器件选择与制作调试 调试时，将RP调到阻值为零位置，S置于位置2，用万用表测电灯两端交流电应在200V以上，如低于200V可略减小R1或增大R3阻值，使之达到要求。光敏电阻RG应安

1.应用范围：用于一般精度的温度测量和在计量设备、晶体管电路中的温度补偿。 2.特点：MF11：B值误差范围小,对于阻值误差范围在5％的产品,其一致性、互换性良好。MF12：阻值范围宽,最大标称电阻值可达2M,稳定性好。 3.外型结构和尺寸： 4.主要技术参数： 时间常数≤30S 测量功率≤0.1mW 使用温度范围-55～+125℃B值及允许偏差见下表耗散系数≥6mW/℃额定功率0.5W 型号 25℃时额定零功率电阻值 B值 阻值范围（Ω） 允许偏差（％） （25/50℃）标称值（K） 允许偏差（％） MF11 3.3～336.8～6815～15033～33068～680150～1500330～3300680～68001500～150003300～33000 ±5 ±10 ±20 2700283029503100325034003570374039004050 ±5 MF12 6800～6800

0805封装尺寸/0402封装尺寸/0603封装尺寸/1206封装尺寸 封装尺寸与功率关系： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 封装尺寸与封装的对应关系 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 贴片电阻的功率是指通过电流时由于焦耳热电阻产生的功率。可根据焦耳定律算出：P=I2 R。 额定功率 ： 是指在某个温度下最大允许使用的功率，通常指环境温度为70°C时的额定功率。 额定电压：可以根据以下公式求出额定电压。 额定电压(V)=√ 额定功率(W)&TImes; 标称阻值(Ω) 最高工作电压 ：允许加载在贴片电阻两端的最高电压。 贴片电阻的封装与功率、电压关系如下表： 注意事项 ： 设计和使用贴片电阻时，最大功率不能超过其额定功率，否则会降低其可靠性。 一