从理论到晶体管级的推导，非常详细。 （1）电路分析：电路结构 ；电路描述；静态特性；频率特性；相位补偿 （2）设计指标及其概念分析：共模输入范围；输出动态范围；单位增益带宽（GBW）；输入失调电压；系统失调电压 。 （3）电路设计：MOS 工作区域；过驱动电压的影响； 约束分析。 （4）spice的仿真 （5）candence的仿真 文章摘选：含有两个工艺参数 μp和 COX，而设计参数有四个，分别是 CC、W1、L1 和 VGST1，可以看到 GBW 与管子的沟道宽度和过驱动电压成正比，而与 CC 和 L 成反比。也就是说，要得到高的 GBW 就需要增大 M1 和 M2 管的过驱动电压或者减小其沟道长度，对照由式(2.12)得到的结论，可以发现，这与提高增益的要求是相互抵触的，而且管子面积的减小也会使得噪声性能变差，所以在设计电路的时候，需要根据具体应用和设计指标进行权衡（Tradeoff）。 但在实际的电路实现中，会有两个问题[4]，一是由上式可知，第二极点是与负载电 容有关的，这样在负载电容未知或者运放工作过程中负载电容发生变化的情况下， 很难使得零点和第二极点精确抵消。第二，即

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