采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不同位置的体系进行了几何结构优化,分别计算了GaN和Cu吸附GaN的两个体系的吸附能、能带结构和电子态密度。计算结果表明,在Cu吸附的GaN(0001)表面体系中,相比于Ga和N原子的上面位置,孤立的Cu原子最优先吸附在3倍原子层下的面心位置。Cu吸附的GaN(0001)表面体系呈现出半金属性,并且呈n型导电特征,这表明了Cu作为GaN器件电极的可行性。
2021-12-24 13:13:11 1.22MB 光学器件 GaN(0001) Cu 吸附
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最新版本的第一性原理计算程序源代码VASP
2021-12-19 09:35:58 1.27MB 第一性原理
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与原子轨道基组相比,平面波基组有如下优点: 无需考虑BSSE校正; 平面波基函数的具体形式不依赖于核的坐标,这样,一方面,价电子对离子的作用力可以直接用Hellman-Feymann定理得到解析的表达式,计算显得非常方便,另一方面也使能量的计算在不同的原子构象下具有基本相同的精度; 很方便地采用快速傅立叶变换(FFT)技术,使能量、力等的计算在实空间和倒易空间快速转换,这样计算尽可能在方便的空间中进行; 计算的收敛性和精确性比较容易控制,因为通过截断能的选择可以方便控制平面波基组的大小。
2021-10-26 16:19:46 1.29MB 计算材料学 课件 第一性原理
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第一性原理vasp和分子动力学lammps两个计算工具,方便发优质高分论文。 可查阅往年的论文发表量及发表质量
2021-10-09 16:32:20 1.19MB vasp lammps 第一性原理 DFT
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关于分子动力学理论的基本介绍,平面波,赝势的构建,同时对第一性原理和密度泛函也作了相关介绍,是材料计算的初学者较好的学习资料。
2021-10-07 23:10:29 579KB 分子动力学 第一性原理 密度泛函
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赝势(pseudopotential),或有效势(effective potential),是指在对能带结构进行数值计算时所引入的一个虚拟的势。引入赝势有助于实现一个复杂的系统的近似计算。事实上,赝势近似法是正交平面波方法的延伸,其应用范围包括原子物理学和中子散射。“赝势”这个概念是由汉斯·赫尔曼于1934年首先发表的。pbe是其中的一种
2021-10-04 14:12:53 55.27MB vasp 第一性 pbe 赝势
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vasp.5.3.5 安装时候所需的赝势库,给所有需要安装vasp 的材料计算的同学们
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中国2000年NPP数据 第一性生产力.zip
2021-09-11 18:05:36 14.08MB 数据
中国2001年NPP数据 第一性生产力.zip
2021-09-11 18:05:36 14.08MB 数据
中国2002年NPP数据 第一性生产力.zip
2021-09-11 18:05:36 14.23MB 数据