Cu吸附GaN(0001)表面的第一性原理计算

上传者: 38663608 | 上传时间: 2021-12-24 13:13:11 | 文件大小: 1.22MB | 文件类型: -
采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不同位置的体系进行了几何结构优化,分别计算了GaN和Cu吸附GaN的两个体系的吸附能、能带结构和电子态密度。计算结果表明,在Cu吸附的GaN(0001)表面体系中,相比于Ga和N原子的上面位置,孤立的Cu原子最优先吸附在3倍原子层下的面心位置。Cu吸附的GaN(0001)表面体系呈现出半金属性,并且呈n型导电特征,这表明了Cu作为GaN器件电极的可行性。

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