完整英文电子版 JEDEC JESD209-4D：2021 Low Power Double Data Rate 4(LPDDR4) - 低功耗双倍数据速率 4(LPDDR4)。本文档定义了 LPDDR4 标准，包括特性、功能、交流和直流特性、封装和球/信号分配。 本规范的目的是为具有一个或两个通道的符合 JEDEC 标准的每通道 16 位 SDRAM 设备定义一组最低要求。 LPDDR4 双通道器件密度范围为 4 Gb 至 32 Gb，单通道密度范围为 2 Gb 至 16 Gb。 本文档使用以下标准创建：DDR2 (JESD79-2)、DDR3 (JESD79-3)、DDR4 (JESD79-4)、LPDDR (JESD209)、LPDDR2(JESD209-2) 和 LPDDR3 (JESD209-3) .

此文档对于JESD标准LPDDR4解读，轻松理解LPDDR4标准。 问题举例: ** LP4 vs LP4X ** 为什么2018旧款 Macbook Pro只用LP3, 而不用LP4? ** Apple M1如何做到性能很强呢? ** LPDDR4有ECC吗? ** LVSTL模型的意义? ** 为什么LPDDR4钟情于16bit per channel? ** Pad Order究竟是何物? ** 为什么有EMCP这种封装? ** 为什么有ZQ pin? ** LPDDR可以取代DDR? ** 为什么LP4和DDR4 prefetch差异很大? ...... ** 行业标准： 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款. 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

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此文档对于JESD标准LPDDR3解读，轻松理解LPDDR3标准。 问题举例: ** DDR3L/DDR3U和LPDDR3的关系是什么? ** 为什么2018旧款 Macbook Pro只用LP3, 而不用LP4? ** Deep Power Down时dram数据还会存下来吗? ** LPDDR3没有RESET pin如何发reset? ** LPDDR3有DIMM吗? ** LPDDR3支持ECC吗? ** DDR3有x4和x8, LPDDR3为什么没有呢? ** LPDDR3 IO模型 ** 手机或PC上的LPDDR3内存可以用DDR3或DDR4内存替换吗? ** LP3不像PC3有DLL, 如何同步CLK和DQS？ ** LPDDR3 vs DDR4性能 ...... ** 行业标准： 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款. 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

此文档对于JESD标准DDR4和DDR3做中文解读，轻松理解DDR4/DDR3标准。 问题举例: ** 你真的理解SDRAM的S吗? ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** DDR4为什么没有Vref DQ? ** Mode Register可读了? ** 最大省电模式(Maximum Power Down Mode) ** 为什么服务器很关心ECC? ** DBI是如何省电的? ** 有人会问，有Read Leveling吗? ** Prefetch的作用 ** Dram Size和Page Size如何计算？ ** 为什么有MRS，没有MRR? ** DDR4 POD12的起源 ...... ** 行业标准： 作者有数年Spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年Dram问题Debug，Spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

此文档对于JESD标准DDR5/DDR4/DDR3做中文解读，轻松理解DDR5/4/3标准。 问题举例: ** DDR5设计目标 ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** DDR5 Sub Channel设计的优势 ** DDR4 DIMM vs DDR5 DIMM ** 为什么服务器很关心ECC? ** DBI是如何省电的? ** 有Read Leveling吗? ** Prefetch从8到16的意义 ** Dram Size和Page Size如何计算？ ...... ** 行业标准： 作者有数年Spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年Dram问题Debug，Spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。

包括板材选择、线宽、线间距、阻抗设计等

LPDDR4/LPDDR4X SDRAM MT53E256M16D1, MT53E256M32D2 Features This data sheet is for LPDDR4 and LPDDR4X unified product based on LPDDR4X information. Refer to LPDDR4 setting section LPDDR4 1.10V V DDQ at the end of this data sheet. • Ultra-low-voltage core and I/O power supplies – V DD1 = 1.70–1.95V; 1.80V nominal – V DD2 = 1.06–1.17V; 1.10V nominal – V DDQ = 1.06–1.17V; 1.10V nominal or Low V DDQ = 0.57–0.65V; 0.60V nominal • Frequency range – 1866–10 MHz (data rate range: 3733–20 Mbps/ pin) • 16n prefetch DDR architecture • 8 internal banks per channel for concurrent opera- tion • Single-data-rate CMD/ADR entry • Bidirectional/differential data strobe per byte lane • Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL) • Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32) • Directed per-bank refresh for concurrent bank op- eration and ease of command scheduling • Up to 8.5 GB/s per die • On-chip temperature sensor to control self refresh rate • Partial-array self refresh (PASR) • Selectable output drive strength (DS) • Clock-stop capability • RoHS-compliant, “green” packaging • Programmable V SS (ODT) termination Options Marking • V DD1 /V DD2 /V DDQ : 1.80V/1.10V/1.10V or 0.60V E • Array configuration – 256 Meg × 16 (1 channel ×16 I/O) 256M16 1 – 256 Meg × 32 (2 channels ×16 I/O) 256M32 • Device configuration – 256M16 × 1 die in package D1 – 256M16 × 2 die in package D2 • FBGA “green” package – 200-ball WFBGA (10mm × 14.5mm × 0.8mm, Ø0.35 SMD) DS • Speed grade, cycle time – 535ps @ RL = 32/36 -053 – 468ps @ RL = 36/40 -046 • Operating temperature range – –25°C to +85°C WT • Revision :B Note: 1. MT53E256M16D1 is Preliminary status, with the following legal disclaimer: Products and specifications discussed herein are for evalu- ation and reference purposes only and are subject to change by Micron without notice. Products are only warranted by Micron to meet Micron’s production data sheet speci- fications.

此文档对于JESD标准DDR3做中文解读，轻松理解DDR3标准。 问题举例: ** 你真的理解SDRAM的S吗? ** 为什么Write一般是Center Aligned, Read是Edge Aligned? ** BC4有啥用? ** 为什么会有Dynamic ODT? ** BIOS是如何识别DIMM是DDR3或者DDR4的? ** XMP是什么? ** 为什么有Write Leveling? ** 有人会问，有Read Leveling吗? ** Prefetch的作用 ** Dram Size和Page Size如何计算？ ** 为什么有MRS，没有MRR? ...... ** 行业标准： 作者有数年spec经验, 熟悉JEDEC标准建立的过程. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ 如对内容质量有疑问，可提前私信咨询。