OV4689是一个高性能的4百万像素camerachip传感器在原生16:9格式设计的下一代监控和安全系统。传感器采用先进的2μmomnibsi-2™像素提供了一流的低光灵敏度和高动态范围（HDR） OV04689OV04689-H67AOmniVision400万像素传感器HDR厂家：OmniVision封装：CSP 香港科威芯电子有限公司海思及sensor系列产品深圳大量现货供应

在超大规模集成电路( VLSI) 设计中, 随着深亚微米技术的应用、芯片集成度的不断提高以及 系统工作频率的加快, 均导致了集成电路的功耗越来越大. 而功耗的增大, 一方面影响了依赖电池 供电的便携式设备的使用, 另一方面芯片的过热也使系统的可靠性降低. 这使得低功耗设计技术日 益成为VLSI 设计者关注的热点. 美国半导体工业联合会在1992 年已确认低功耗技术是当前集成 电路设计的一个紧急技术需要。

放大器设计cmos放大器设计经典中的经典不能不看 圣经宝典

CMOS集成电路中的电源、地的ESD保护电路设计 ESD保护电路设计

随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器(Low Drop-out Regulator,LDO)因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积小、电路设计简单等优点得到大量应用。LDO大部分时间工作在低负载应用，因此，其在低负载情况下的静态电流消耗决定着电池的寿命。

针对传统过温保护（OTP）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于0.18 μm BCD工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和迟滞量。Hspice仿真结果表明，当温度达到138℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低126℃时，系统恢复正常工作。电源电压在3~5 V之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为1.75℃和0.05℃，该电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和高稳定性的设计要求。

关于CCD和CMOS相机的区别及对比，对CCD和CMOS相机的发展及优缺点进行了分析介绍。

模拟CMOS集成电路设计英文版--Razavi，有需要的同同学可以自行下载。

笔者设计了基于双电源±0.9V供电,功耗仅为3.5mW的电流反馈运算放大器。

复旦模拟CMOS 唐长文课件，2009版