直流偏对单相变压器励电流的影响,佘立伟,邵可然,直流偏是电力变压器的一种非正常的运行状态,它指变压器绕组中出现直流分量,使变压器铁心发生半周波饱和,导致励电流增大以
2024-03-03 10:07:55 398KB 首发论文
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运用能量估计的方法,在临界Sobolev空间H1/2(R3)中,研究了三维不可压微极流体方程小初值整体强解的渐进性质.设(u,ω,b)是三维不可压微极流体方程在临界Sobolev空间H1/2(R3)中小初值(u0,ω0,b0)∈H1/2(R3)对应的整体强解,那么解的H1/2(R3)范数‖u,ω,b‖H1/2关于时间t是非增函数,且当t→+∞时,极限为0;并且使得整体强解(u,ω,b)存在的小初值(u0,ω0,b0)构成的集合是空间H1/2(R3)中的开集.
2024-03-02 09:05:38 1.48MB 渐进性质
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我们在二维低能量有效场理论中研究模块对称异常,该理论是通过通压缩从六维超对称U(N)Yang-Mills理论推导出来的。 标尺对称性U(N)被通打破为U(Na)×U(Nb)。 发现与U(1)的离散部分相对应的模块化对称性的Abelian子群可以是异常的,但是在模块化对称性中与U(1)独立的其他元素始终是无异常的。
2024-03-01 19:45:47 165KB Open Access
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当前对中微子矩的实验灵敏度比标准模型预测高出多个数量级。 因此,下一代实验的潜在测量将强烈要求标准模型之外的新物理学。 但是,大的中微子矩通常会引起对中微子质量的大的修正,并导致微调。 我们证明在中微子质量与中微子矩成比例的模型中。 我们重新审视,讨论并提出了仍可为大中微子矩的潜在测量提供理论上一致解释的机制。 我们发现只有两种可行的机制可以仅对马约拉纳中微子实现大的过渡矩。
2024-03-01 19:06:14 440KB Open Access
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发现网上PBOC以及EMV规范比较好找,但是找个银行条卡比较困难,故上传了这个条卡规范,对银行卡道信息都有明确规定与说明。
2024-03-01 01:42:37 1.82MB 磁条卡规范
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建立了基于流变减振器半主动悬架系统的非线性动力学模型,提出模糊逻辑的控制策略,同时建立流变减振器的神经网络辩识模型,对汽车悬架系统实施了有效的智能控制。通过仿真计算,证明该智能控制策略大大减小汽车振动加速度和振动位移,流变减振器的控制力也能满足制造要求。
2024-02-27 23:51:59 433KB 悬架系统 磁流变减振器 模糊控制
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针对单级线圈流变阻尼器在给定励电流和阻时,通过增加线圈的匝数方法实现路中总的通量增加,会导致活塞整体结构增大问题,提出了提高流变阻尼器力学性能的双线圈路结构。仿真与试验结果表明:双级线圈路结构中通入反向等值电流时,活塞与工作缸的间隔处力线的密度较为集中,两线圈间隔处力线叠加,更好的发挥了两级线圈的作用。
2024-02-27 23:50:20 426KB 磁流变阻尼器 双级线圈 磁路结构
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射频控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质,农剑,徐华蕊,以Li0.33La0.56TiO3(LLTO)与Li7La3Zr2O12(LLZO)粉末靶材为溅射源,用射频控共溅射的方法制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质。在室温条件下,其离�
2024-02-26 10:31:38 360KB 首发论文
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Ni-Mn-Ga-Ti合金的相稳定性和性能的第一性原理计算,杨禛,白静,以Ni-Mn-Ga合金为代表的铁形状记忆合金是新型的智能材料,具有高达10 %的诱导应变以及kHz级别的响应频率。适量Ti掺杂可以析出Ni3Ti�
2024-02-26 10:16:32 448KB 首发论文
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形状记忆合金Mn50Ni36Sn9Co5中的动力学阻止和去阻止,马丽,赵德伟,用甩带快淬的方法制备了Mn50Ni36Sn9Co5合金.X射线衍射实验结果表明,Mn50Ni36Sn9Co5甩带合金在室温下为B2结构.性测量结果显示,当冷却�
2024-02-26 09:39:23 604KB 首发论文
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