共享交流 Vienna Ab initio Simulation Package (VASP) 5.4.4 Source Code 03/06/2018 Include: PAW_LDA: 04Sep2015 PAW_PBE: 04Sep2015 PAW_PW91: 06Feb2003 USPP_LDA: 01Apr2000 USPP_PW91: 01Jul1997
2022-03-21 15:29:59 48.71MB VASP DFT abinito 第一性原理
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又想学习vasp软件的,可以以之为指导,系统来学习
2022-03-13 11:13:04 1.21MB vasp
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甲醛在二氧化钛表面吸附及解离的第一性原理研究,刘力铭,赵瑾,本文采用了基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,研究甲醛(HCHO)在TiO2(110)化学整比表面吸附构型,以及HCHO分解生成一氧化碳
2022-03-09 15:09:08 854KB 首发论文
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局域密度近似 局域密度近似最早是由Kohn W和Sham L.J提出来的,这是一种既简单可行而又很有效的近似,其基本思想是在局域密度近似中,利用均匀电子气密度函数来获得非均匀电子气的交换关联泛函。 交换关联能可以写为式
2022-02-27 17:36:55 1.29MB 计算材料学 课件 第一性原理
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lammps分子动力学、gromacs分子动力学、与第一性原理vasp
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VASP计算AgGaS2能带及态密度及光学性质全过程
2022-01-10 15:43:10 437KB 第一性原理
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采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不同位置的体系进行了几何结构优化,分别计算了GaN和Cu吸附GaN的两个体系的吸附能、能带结构和电子态密度。计算结果表明,在Cu吸附的GaN(0001)表面体系中,相比于Ga和N原子的上面位置,孤立的Cu原子最优先吸附在3倍原子层下的面心位置。Cu吸附的GaN(0001)表面体系呈现出半金属性,并且呈n型导电特征,这表明了Cu作为GaN器件电极的可行性。
2021-12-24 13:13:11 1.22MB 光学器件 GaN(0001) Cu 吸附
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最新版本的第一性原理计算程序源代码VASP
2021-12-19 09:35:58 1.27MB 第一性原理
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与原子轨道基组相比,平面波基组有如下优点: 无需考虑BSSE校正; 平面波基函数的具体形式不依赖于核的坐标,这样,一方面,价电子对离子的作用力可以直接用Hellman-Feymann定理得到解析的表达式,计算显得非常方便,另一方面也使能量的计算在不同的原子构象下具有基本相同的精度; 很方便地采用快速傅立叶变换(FFT)技术,使能量、力等的计算在实空间和倒易空间快速转换,这样计算尽可能在方便的空间中进行; 计算的收敛性和精确性比较容易控制,因为通过截断能的选择可以方便控制平面波基组的大小。
2021-10-26 16:19:46 1.29MB 计算材料学 课件 第一性原理
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第一性原理vasp和分子动力学lammps两个计算工具,方便发优质高分论文。 可查阅往年的论文发表量及发表质量
2021-10-09 16:32:20 1.19MB vasp lammps 第一性原理 DFT
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