我们研究过程pp→γ*，Z→ℓ+ ℓ−（with = e，μ）过程中的截面σ和前后不对称性（AFB），以确定质子的Parton分布函数（PDFs）。 我们表明，一旦映射到Dilepton最终状态的不变质量M（ℓℓ），则可观察到的σ和AFB都将显示出统计误差，该误差目前与分配给现有PDF集的误差相当，并且该误差会迅速变小。 大型强子对撞机运行II中积累的光度会比后者高。 此声明适用于高峰（M）区域和非高峰M（β）区域，都位于其正下方和正上方，从而提供了一种在较大（x，Q2）范围内约束夸克PDF的方法。

我们使用高度改进的交错夸克（HISQ）形式论对第二代MILC胶凝体合奏（包括上，下，奇异和魅力夸克）在零后坐时的Bs→Ds *轴向形状因子进行点阵QCD计算的详细信息。 海。 对所有化合价夸克使用HISQ动作意味着，耦合到W的晶格轴向矢量电流可以完全非扰动地重新归一化，从而获得没有先前晶格QCD计算所具有的扰动匹配误差的结果。 我们针对物理c和s在三个晶格间距值和多个b夸克质量下计算相关函数。 可以确定对b夸克质量的功能依赖性，并将其与重夸克的有效理论预期值进行比较，并得出以b夸克质量的物理值获得的形状因数的结果。 我们发现FBs→Ds *（1）= hA1s（1）= 0.9020（96）stat（90）sys 这与较早的使用NRQCD b夸克的晶格QCD结果一致，总不确定度降低了2倍以上。我们讨论了该结果对零反冲时B→D *轴向形状因数的影响以及确定 Vcb。

我们确定中性点电流弱轴向电荷GAZ 0 = − 0.654 3 stat 5 sys $$ {G} _A ^ Z（0）=-0.654 {（3）} _ {\ mathrm {stat}} {{5 ）} _ {\ mathrm {sys}} $$，使用由晶格QCD计算的奇数夸克轴向电荷GA s 0 $$ {G} _A ^ s（0）$$。 然后，我们进行一个现象学分析，在此过程中，我们将动量传递区域0.24≲Q 2 form 0.71 GeV2中来自点阵QCD的奇怪的夸克电磁形状因子与来自MiniBooNE实验的（反）中微子-核子散射微分截面相结合，以确定中性电流 弱轴向形状因子GAZQ 2 $$ {G} _A ^ Z \ left（{Q} ^ 2 \ right）$$在0≲Q 2≤1 GeV2的范围内。 这产生了G A Z 0 $$ {G} _A ^ Z（0）$$ = -0.687（89）stat（40）sys的现象学值。 当GA s 0 $$ {G} _A ^ s（0）$$相较其现象学确定时，GAZ 0 $$ {G} _A ^ Z（0）$$的值受GA s 0 $$ {G} _A ^ s

设计了一种新型的、不随电源电压变化的、温度系数很小的nA量级CMOS基准电流源，并分析了该电路的工作原理。该基准电流源不需要使用电阻，大大节省了芯片的面积。基于TSMC 0.18 μm CMOS厚栅工艺，使用Spectre对电路进行了仿真。仿真结果表明，在输出基准电流为46 nA的情况下，该电路的温度系数为24.33 ppm/℃，输出电流变化率仅为0.028 9%/V，电源抑制比（PSRR）最高可达-85 dB，电路消耗的电流小于200 nA。

buck电路电流电压双闭环PI控制 simulink仿真模型图 电流电压双闭环PI调节系统，稳压在50V，输出电压可调，电流内环，电压外环。matlab2014B仿真图

AdS 4中较高自旋电流相互作用的形式是从Weyl 0形式扇形中的完全非线性较高自旋方程导出的。 明确确定了由标量和自旋轴建立的自旋一电流前的耦合常数以及Yukawa耦合。 所有其他高自旋电流相互作用的耦合均被隐式确定。 显示所有耦合都独立于非线性高自旋理论的相位参数。 顶点对较高自旋相位参数的适当全息依赖性显示为整体场上的边界条件所致。

我们报告了在QED中电子-正电子强磁化气体中具有不平衡手性的伪矢量电流的产生。 它在QED中作为手性磁效应沿外部施加的磁场B传播。 它由与B平行的微扰电场触发，该电场与沿B传播的伪矢量纵向模式有关。 引入了电磁化学势，但是即使它消失了，我们的结果仍然有效。 假定非零费米子质量，在文献中通常认为该质量消失了。 在有限温度和密度下的量子场论形式论中，发现了大块费米子介质与轴向电流的反常关系。 它与Adler–Bell–Jackiw异常类似。 从以介质中光子自能张量表示的手性电流的表达式中，可以得出纵向光子（在光锥内部）散射的电子和正电子对手性电流的贡献，以及成对的产生 由于纵向光子（超出光锥）。 在静态极限中，在最低的朗道能级上获得伪电流矢量。

本文介绍了端稳压器增加输出电流／软启动

内容概要：该模型包含位置环、速度环和电流环，三环均采用PI控制，位置环输入的信号是正弦信号，仿真效果显示位置信号跟踪良好。模型运行无故障报错等问题，模型可以深度拓展。 适用人群：初步入门永磁同步电机控制的人群，想学习三环设计方法的人群，想了解位置控制方法的人群。 能学到什么：通过该模型掌握永磁同步电机三环控制的基本逻辑方法，掌握如何处理位置信号和速度信号，掌握速度信号和电流信号的关系。 其它说明：模型本身包含的各个模块大部分均为手动搭建，可拓展性极强，适合于对电机控制有一定认识的人群，模型下载后先运行是否正常，然后再根据自己的需求修改参数。运行过程中发现模型有错误的可以通过私信联系我。

许多应用利用精密电流源提供恒定电流，包括工业过程控制、仪器仪表、医疗设备和消费电子产品。例如，过程控制系统利用电流源提供电阻温度检测器(RTD)所需的激励电流；数字万用表利用电流源测量未知电阻、电容和二极管；长距离信息传输广泛使用电流源来驱动4mA至20mA电流环路。 　　图1 差动放大器和运算放大器构成精密电流源 　　精密电流源传统上采用运算放大器、电阻和其它分立器件构建，但存在尺寸、精度和温度漂移等方面的不足。现在，高精度、低功耗、低成本集成差动放大器（例如AD8276）的出现，使得尺寸更小、性能更高的电流源变成现实，如图1所示。反馈缓冲器使用低失调、低偏置电流放大器，例如AD