内容概要：本文详细介绍了基于TMS320F28034PNT的数字控制LLC谐振开关电源开发板CSS02404。开发板采用半桥LLC拓扑和中心抽头整流结构，具备多种保护功能如过压、过流保护等。文中展示了PID控制的实现方法及其在电源控制中的应用，讨论了多零点补偿器和双环嵌套结构的作用。此外，还提供了丰富的调试技巧，如利用GPIO模拟DAC输出调试波形，以及硬件设计中的关键细节，如MOSFET驱动电路的优化。提供的原理图和源码有助于深入理解数字控制的具体实现。 适合人群：从事电力电子、数字电源设计的研发人员和技术爱好者。 使用场景及目标：适用于希望深入了解LLC谐振开关电源数字控制原理的研究者和工程师。通过实际操作和调试，掌握PID控制、多零点补偿器的应用，提升数字电源设计能力。 其他说明：开发板不仅提供硬件支持，还包括详细的源码和调试工具，便于用户快速上手并进行深入研究。

嘉准 FD-35、40、50、72系列磁感应开关产品说明书pdf,嘉准 FD-35、40、50、72系列磁感应开关产品说明书

MEMS射频器件,特别是超宽带器件,对其中的射频器件提出了宽带指标的要求。以此为背景,在理论分析的基础上设计了一种应用于12.5 GHz～50 GHz频带的超宽带双膜桥式MEMS开关,该开关具备低损耗、高隔离度等特点,文中给出了开关的制备工艺,并进行流水完成了芯片制备。经测试,该开关在设计频段内,回波损耗优于20 dB,插入损耗典型值0.3 dB @12.5～35 GHz,优于0.5 dB@45 GHz,隔离度全频段优于20 dB,驱动电压在45 V～55 V之间。

本文介绍用于X和Ku波段的射频MEMS电容开关的设计、 fabrication与性能表征。通过电感调谐技术提升隔离度与Q因子，采用高阻硅基底与五步光刻工艺实现器件制造。实验结果显示，在8–18 GHz频段内，插入损耗优于0.5 dB，隔离度超过–40 dB，驱动电压为18.5 V。创新性地利用折叠梁与接地凹槽结构增强电感，实现频率选择性调谐，适用于相控阵天线与可重构射频系统。研究还探讨了介质充电对可靠性的影响，并提出Al2O3/ZnO合金介质层的解决方案。该成果为高频通信系统中的高性能开关提供了实用化路径。

射频微电子机械系统RF MEMS开关的高隔离度与低插入损耗特性,同开关自身的结构参数密切相关。为了得到更好的开关性能,在设计过程中有必要对射频MEMS开关的相关参数进行优化。本文用ADS和HFSS仿真设计软件,对射频MEMS并联电容式开关的微波特性进行了分析和仿真,研究了MEMS开关的等效电路参数和结构参数的变化对RF MEMS开关微波特性的影响。仿真结果表明:等效电容参数和MEMS开关桥宽度是影响开关性能的关键参数,当开关的等效电容参数增加20 pF,或MEMS桥的宽度增加40μm时,RF MEMS开关

Auto Power-on Shut-down 破解版是一个很实用的自动化程序。它拥有非凡的管理功能，可以让你设定电脑的自动开启、关机或停止休眠等，并且在自动开启电脑的时候让电脑回到关闭之前的状态。支持自动开启执行文件、播放音效、执行特定程序等，是一个很实用的自动化软件喔。

开关电源作为现代电子设备中广泛使用的电源类型，其电磁干扰（EMI）问题一直是电源设计和测试中的一个重点和难点。EMI可按照干扰源的种类、耦合通路以及干扰的传播方式等多个维度进行分类。在开关电源的工作过程中，尖峰干扰和谐波干扰是最为常见的两种干扰类型。尖峰干扰主要是由功率开关管的快速开关动作和整流二极管的反向恢复特性引起的。而谐波干扰主要来自于交流输入回路中的非理想元件特性，比如整流二极管的非线性特征和开关管的开关动作引入的高频成分。 为了抑制这些干扰，需要从干扰源的产生机制、干扰的传播途径以及受干扰设备的抗干扰能力三个方面着手。在实际操作中，常用的方法有屏蔽、接地和滤波等。具体到技术层面，可以采取以下一些抑制EMI的措施： 1. 屏蔽：通过金属或其他导电材料制成屏蔽罩来包裹干扰源，或者将整个开关电源装置封闭在一个屏蔽罩内，以此来吸收或反射电磁波，从而达到抑制干扰的目的。屏蔽材料的选择、屏蔽罩的设计和安装方式均会直接影响屏蔽效果。 2. 接地：接地是切断干扰传播路径的重要手段。通过将干扰源、屏蔽层和接收设备的参考点与大地连接，能够提供一个稳定的参考电位，并通过合理设计接地网络来避免形成闭合的接地环路，从而减少由磁感应而产生的噪声。 3. 滤波：滤波器能够有效减少通过电源线传导的噪声成分。根据干扰信号的频谱特性，设计适当的滤波网络，并将滤波器安装在干扰源附近或接收设备的输入端，可以显著降低干扰信号。 4. 零电流和零电压开关技术：通过优化开关管的工作状态，实现开关过程中的电流和电压变化率最小化，从而降低电磁干扰。 5. 差模抑制网络与噪声分离网络：这两种网络分别用于测量差模共模干扰和分离干扰信号，以识别和分析干扰源。 6. PCB布局与设计：PCB布局设计的合理性对于减少EMI至关重要。合理布线、避免尖锐拐角、控制元件间的距离和布局，都是减少干扰的有效措施。 7. 优化开关频率：开关频率的选择对于EMI的强度具有决定性影响，采用合适的开关频率可以减少EMI的产生。 抑制开关电源EMI的方案需要综合考虑干扰源、传播途径和受干扰设备的抗干扰能力。通过优化设计、合理布局以及采取有效的滤波、屏蔽和接地措施，可以在很大程度上控制和减小EMI对电子设备的影响。同时，设计时还应当注重测试技术的应用，确保EMI测试结果的准确性，并根据测试结果调整和优化设计方案。

目前，许多大学及科研单位都进行了开关电源EMI(Electromagnetic Interference)的研究，他们中有些从EMI产生的机理出发，有些从EMI 产生的影响出发，都提出了许多实用有价值的方案。这里分析与比较了几种有效的方案，并为开关电源EMI 的抑制措施提出新的参考建议。

开关电源EMI电路设计是电源设计中的一个重要环节，主要目的是减少电源工作时产生的电磁干扰（EMI），保证电源本身的正常工作以及不对其他设备产生干扰。本文将详细解读开关电源EMI电路设计中的技巧和方法，以及设计中需要注意的事项。 了解EMI的产生原理至关重要。开关电源工作时，由于高速的开关动作，会产生大量的电磁干扰。这些干扰可以分为差模干扰和共模干扰两大类。差模干扰主要是由电源的正负线路之间的电压波动产生的，而共模干扰则是由于线路和地之间的电压波动导致的。 在设计EMI电路时，需要考虑不同的频率范围，采取不同的滤波措施。对于1MHz以下的低频干扰，主要以差模干扰为主，可以通过增大X电容的方式来抑制。而当干扰频率在1MHz到5MHz之间时，干扰类型转为差模共模混合，此时需要在输入端并联一系列X电容，并且要分析干扰源并针对性解决。5MHz以上的高频干扰主要是共模干扰，需要采用专门针对共模干扰的抑制方法。 针对高频共模干扰，比如10MHz以上的干扰，可以采用磁环来减小干扰。具体方法是在地线上绕磁环两圈，可以有效衰减高频干扰。在25MHz到30MHz的频率范围内，可以通过增加对地Y电容，或在变压器外包裹铜皮等措施来减小干扰。在更高频段，如30MHz到50MHz，干扰通常是由于MOS管的高速开关动作造成的，这时可以通过增加MOS管驱动电阻或使用RCD缓冲电路来抑制干扰。 在100MHz到200MHz的频率范围内，干扰主要由输出整流管的反向恢复电流引起。可以通过在整流管上串磁珠来减小干扰。针对PFC MOSFET和PFC二极管的干扰，使用磁珠也是非常有效的办法，尽管在垂直方向上可能效果不佳。此外，也可以考虑在MOSFET和二极管上增加吸收回路来抑制干扰，但可能会影响效率。 除了上述频率区分的策略外，设计开关电源时防止EMI的措施还包括： 1. 减小噪声电路节点的PCB铜箔面积，例如开关管的漏极和集电极，以及初次级绕组节点等。 2. 使输入输出端远离噪声元件，例如变压器线包、磁芯以及开关管的散热片等。 3. 确保噪声元件远离外壳边缘，因为外壳边缘容易接触到外部接地线。 4. 如果没有使用电场屏蔽的变压器，应保持屏蔽体和散热片与变压器保持距离。 5. 减少电流环面积，包括次级整流器、初级开关功率器件、栅极驱动线路以及辅助整流器。 6. 避免将门极驱动返馈环路与初级开关电路或辅助整流电路混在一起。 7. 调整阻尼电阻值以防止振铃声。 8. 防止EMI滤波电感饱和。 9. 使拐弯节点和次级电路元件远离初级电路的屏蔽体或散热片。 10. 保持初级电路摆动节点和元件本体远离屏蔽体或散热片。 11. 将高频输入输出的EMI滤波器靠近输入电缆或连接器端以及输出电线端子。 12. 保持EMI滤波器与PCB板铜箔和元件本体之间一定距离。 13. 在辅助线圈的整流器线路上增加电阻，以及在磁棒线圈上并联阻尼电阻。 14. 在输出RF滤波器两端并联阻尼电阻。 15. 在变压器初级静端和辅助绕组之间放置1nF/500V陶瓷电容器或一串电阻。 16. 在PCB设计时留下放置屏蔽绕组脚位和RC阻尼器位置。 17. 如果空间允许，在开关功率场效应管漏极与门极之间放置小径向引线电容器。 18. 在直流输出端放置小RC阻尼器。 19. 避免将AC插座和初级开关管散热片靠在一起。 通过以上的方法和技巧，可以有效减少开关电源在设计中产生的EMI干扰，保证电源的稳定工作以及对其他设备的电磁兼容性。在实际设计过程中，需要综合考虑各种可能的干扰源和干扰途径，并采取相应的设计策略，以达到最佳的EMI控制效果。

开关电源是电子设备中常见的电力转换设备，其电磁干扰（EMI）的控制对于保障系统稳定运行至关重要。EMI干扰源主要来自于开关电源内部的功率开关管、整流二极管、高频变压器等元件，以及外部环境如电网波动、雷击和外界电磁辐射。在开关电源的设计过程中，减少这些干扰源产生的干扰，以及提高设备的电磁兼容性（EMC），是电磁干扰设计的核心任务。 在开关电源的EMI设计中，有以下几个方面需要特别关注： 1. 开关电源的EMI源 - 功率开关管是电场和磁场耦合的主要干扰源，因为其工作在高速开关状态，伴随着快速变化的电压和电流。 - 高频变压器主要由于漏感引起的快速电流变化，造成磁场耦合的干扰。 - 整流二极管的反向恢复特性会产生瞬间高 dv/dt 的电压尖峰，形成电磁干扰。 - PCB作为干扰源的耦合通道，其设计质量直接影响EMI抑制效果。 2. 开关电源EMI传输通道分类 - 传导干扰包括容性耦合、感性耦合和电阻耦合。 - 辐射干扰可以将电路元件假设为天线，通过电偶极子和磁偶极子理论来分析其电磁波的辐射。 3. 开关电源EMI抑制的9大措施 - 减小 dv/dt 和 di/dt 的峰值和斜率来降低干扰。 - 合理应用压敏电阻以降低浪涌电压。 - 使用阻尼网络抑制过冲。 - 采用软恢复特性的二极管减少高频EMI。 - 应用有源功率因数校正和谐波校正技术。 - 采用合理设计的电源线滤波器。 - 合理的接地处理和屏蔽措施。 - 进行合理的PCB设计。 4. 高频变压器漏感的控制 - 选择合适的磁芯材料和匝数来降低漏感。 - 减小绕组间的绝缘层厚度，使用黄金薄膜等材料以提高击穿电压。 - 提高绕组间的耦合度，减少漏感。 5. 高频变压器的屏蔽 - 采用铜箔屏蔽带来减少高频变压器的漏磁场。 - 将屏蔽带接地，形成对漏磁场的短路环以抑制泄漏。 - 为避免高频变压器噪声，需要采取加固措施，如使用环氧树脂粘接磁心、用玻璃珠胶合剂固定磁心等。 开关电源的EMI设计必须综合考虑各种干扰源和传播途径，通过合理设计元件、布局，以及利用滤波、屏蔽、接地等措施，最大程度地降低EMI的影响，从而提高电源系统的稳定性和可靠性。