应用随机矩阵理论和Toeplitz行列式的机制,我们研究了在有限温度T下,S2×S1上的k,U(N)Chern–Simons理论与基本物质的关系。 该理论接受离散矩阵积分表示,即二维Yang-Mills理论的单一离散矩阵模型。 在这项研究中,研究了Chern-Simons物质理论的有效分配函数和相结构,在特殊情况下具有有效电势,即Gross-Witten-Wadia电势。 我们获得了Chern–Simons物质理论的分配函数作为k,N,T的函数的精确表达式,用于有限值和渐近状态。 在Gross–Witten–Wadia案例中,我们表明在渐近状态下,Chern–Simons物质分配函数与连续的二维Yang–Mills分配函数之比为Tracy–Widom分布。 因此,使用理论的自由能的明确结果,观察到新的二阶和三阶相变。 根据阶段的不同,在渐近状态下,切恩-西蒙斯物质理论可以用连续的或离散的二维杨-米尔斯理论表示,并用三阶畴壁隔开。
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