合理的城市土地利用格局有利于形成良好的城市居住环境,建筑密度、容积率是研究城市土地利用格局的重要指标。文中以唐山市为研究区域,以遥感图像和地形图为数据源,以GIS为工具,提取相关信息,对上述指标进行计算分析,为城市的建设与发展提供有参考价值的结论。

研究了tt事件中射流形状对b夸克质量和强耦合的依赖性。 为此，Pythia Monte Carlo生成器用于在s = 7TeV的pp碰撞中生成tt事件的样本，对淋浴QCD标度Λs和b-夸克质量mb的值进行扫描。 将获得的射流形状与ATLAS协作组织最近发布的数据进行比较。 从拟合到光射流数据，确定蒙特卡洛淋浴喷头，同时使用b-射流形状提取b-夸克质量。 b-夸克质量的结果是mb = 4.86-0.42 + 0.49GeV。

我们从动态晶格QCD计算中得出高激发的charm，D s和D介子谱，其中夸克数对应于Mπ〜240 MeV，并将其与以前的结果与Mπ〜400 MeV进行比较。 利用蒸馏框架，精心构造的内插算子的庞大基础以及变分程序，我们提取并可靠地确定了一系列激子介子的连续自旋。 其中包括具有奇异量子数的状态，以及具有非奇异量子数的状态，我们将其识别为具有激动的胶子自由度，并将其解释为混合介子。 比较两个不同的Mπ处的光谱，我们发现仅存在轻度的夸克质量依赖性，而总体状态模式没有变化。

我们提出了一个基于SU（3）C⊗SU（3）L⊗U（1）X规对称性的模型，该模型具有额外的S3⊗Z2⊗Z4⊗Z12离散组，该模型成功地解释了SM夸克质量和混合模式 。 观察到的SM夸克质量和夸克混合矩阵元素的层次结构是由Z4和Z12对称性引起的，它们在非常高的尺度上被SU（3）L标量单重态（σ，ζ）和τ破坏，在这些对称性下 ， 分别。 Cabbibo混合产生于向下的夸克扇区，而向上的夸克扇区生成剩余的夸克混合角。 获得的CKM矩阵元素的大小，CP违反相位和Jarlskog不变量与实验数据一致。

我们根据来自Tevatron和LHC的单顶哈德罗生产的实验数据，提出了顶夸克质量mt的新确定。 我们使用包含S通道和T通道顶夸克的横截面来提取mt，并与强夸克对顶夸克对相比，最小化对强耦合常数和质子中胶子分布的依赖性。 作为我们分析的一部分，我们基于已知的软胶校正计算微扰QCD中s通道横截面的倒数第二个逼近阶，并将其在HatHor程序中实现，以对 强子截面。 MS夸克和带壳重归一化方案报告了顶夸克质量的结果。

我们展示了在Minkowski空间中的时空区域和时空区域中的夸克质量函数的第一个结果，这些结果是通过使用Gross方程在最新介子计算中使用的相同的夸克-反夸克相互作用核来计算的。 该内核由有效的单胶子交换类型相互作用的洛伦兹向量，向量常数以及对质量函数没有贡献的混合标量-伪标量协变线性约束相互作用组成。 我们分析了结果的量表依赖性，证明了夸克质量数和质量间隙方程的量表独立性，并确定了Yennie量表作为在CST计算中使用的合适量表。 我们比较了我们在类空间区域中的结果，以整理QCD数据并找到了很好的一致性。

报告了在包含通过电弱t通道产生的单个顶夸克的事件中对顶夸克质量的测量。 使用质子-质子碰撞的数据进行质子质子碰撞，质子-质子碰撞是在大型强子对撞机的质心能量为8 TeV，对应于19.7 fb -1的综合光度时，由CMS检测器收集的。 顶级夸克候选物从其衰变重构为W玻色子和b夸克，而W玻色子则轻度地衰变为μ子和中微子。 t通道中单个最高夸克事件的最终状态特征和运动学特性可用于增强样品的纯度，从而抑制来自最高夸克对产生的影响。 拟合到重建的顶级夸克候选人的不变质量分布产生的顶级夸克质量值为172.95±0.77（stat）-0.93 + 0.97（syst）GeV。 该结果与当前的世界平均值相一致，并且代表了在不是由顶级夸克对产生主导的事件拓扑中，顶级夸克质量的首次测量，因此导致未来的平均值具有部分不相关的系统不确定性和很大程度上不相关的统计不确定性。

AMD Zynq™ UltraScale+™ RFSoC产品系列提供-2和-1两种速度等级，其中-2E或-2I型器件在性能上是最优异的。-2LE、-2LI和-1LI型器件针对更低的最大静态功耗进行了筛选。具体到型号上，-2LE和-1LI速度等级的XCZU21DR、XCZU25DR、XCZU27DR、XCZU28DR及XCZU29DR器件，以及-1LI速度等级的XQZU21DR、XQZU28DR和XQZU29DR器件均能在VCCINT为0.85V或0.72V的环境下运行。对于VCCINT=0.85V环境下的-2LE或-1LI型器件，其速度规格与-2I或-1I等级相一致。然而，当这些器件在VCCINT=0.72V下运行时，性能、静态功耗和动态功耗均会有所降低。型号XCZU39DR的-2LI速度等级器件以及-2LI和-1LI速度等级的XCZU42DR、XCZU43DR、XCZU46DR、XCZU47DR、XCZU48DR、XCZU49DR、XCZU63DR、XCZU64DR、XCZU65DR、XCZU67DR、XQZU48DR、XQZU49DR、XQZU65DR和XQZU67DR器件仅能在VCCINT=0.72V下工作。 此外，直流和交流开关特性的规格是在扩展（E）、工业（I）和军用（M）温度范围内所指定的。除非特别指明工作温度范围，不同速度等级的特定直流和交流电气参数都是一样的，例如-1速度等级就是对-2速度等级的扩展。 器件的工作环境不仅限于上述速度等级，还覆盖了广泛的温度范围，这确保了在各种条件下都能够保持高性能与可靠性。对于产品应用而言，这一系列Zynq UltraScale+ RFSoC的电气参数细致规定保证了在不同应用场景中的精准表现，满足从常规工业应用到高性能计算及特殊军用环境下的需求。 器件能够应对不同电压条件下的工作要求，增加了在不同电源管理系统中应用的灵活性。例如，在较低电压如0.72V下运行，器件在性能上有所折中，但整体功耗表现得更加节能，这对于对能效比有严格要求的应用场景来说，是极其有利的。在高速数据处理及射频信号处理领域，Zynq UltraScale+ RFSoC的这些特性可以允许开发者在设计时有着更多的选择空间，以实现最优的系统性能和功耗平衡。 此类器件被广泛应用于需要高性能处理能力的通信系统中，如5G基站、雷达系统以及各类传感器设备。由于其内嵌处理器和可编程逻辑的集成设计，使得这些RFSoC在系统级芯片设计中具有极高的灵活性。它们不仅能够在复杂的信号处理任务中表现出色，还可以通过编程来适应不断变化的技术需求。 Zynq UltraScale+ RFSoC的详细规格书为系统工程师提供了全面的设计参考，涵盖了包括电气特性在内的各种指标，从而保证了最终产品的性能能够达到预期标准。这些数据手册不仅列出了静态和动态功耗的详细参数，还提供了在不同工作温度下的详细电气性能规范，使得设计者能够充分了解器件在实际运行条件下的性能表现，这对于设计可靠性高、性能稳定的应用系统来说至关重要。 通过精确的规格定义和应用环境说明，AMD公司进一步展示了其对高性能RFSoC市场的承诺。随着技术的不断进步，这些器件在未来的应用领域中将会有更广阔的发展空间。而对用户而言，对这些规格的深入理解能够帮助他们设计出更为先进、高效的系统，满足未来市场的需求。

本书《公共供水系统手册第二版》由HDR工程公司编写，详细介绍了现代公共供水系统的各个方面。内容涵盖了从水源开发、水质标准到具体污染物去除方法的全面指导。书中强调了饮用水处理的重要性，包括去除有害微生物、控制矿物质和有机物质的浓度，以确保水质安全。此外，还探讨了如何通过有效的规划和管理来应对未来的需求变化，如水资源保护、基础设施建设以及应急预案。本书不仅适合从事水务行业的工程师和技术人员阅读，也为政策制定者提供了宝贵的参考资料。

我们讨论了A4模块化对称性中的夸克质量矩阵，其中分别针对每个上夸克和下夸克扇区引入了希格斯的A4三重态。 该模型除模量τ外，还具有六个实际参数和两个复杂参数。 通过输入六个夸克质量和三个CKM混合角，我们可以预测CP违反相位δ和Jarlskog不变JCP。 δ和JCP的预测范围与观测值一致。 Vub的绝对值小于0.0043，而Vcb大于0.0436。 总之，我们具有A4模块化对称性的夸克质量矩阵可以完全重现带有观察到的夸克质量的CKM混合矩阵。