1 GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮镓 （ GaN ） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC 功率器件在 C 波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制；GaN 功率管因其大功率容量等特点，成为发较快的宽禁带器件。GaN 功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势，已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好的使用前景。GaN 大功率的输出都是采用增加管芯总栅宽的方法来提高器件的功率输出，这样使得管芯输入、输出阻抗变得很低，引入线及管壳寄生参数对性能的影响很大，一致直接采用管壳外的匹配方法无法得到大的功率输出甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引

SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性，赵健，李镇江，近年来，为了获得自清洁及抗腐蚀表面，人们对SiC@SiO2同轴纳米电缆的超疏水改性产生了极大兴趣。在室温下，以FAS(CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3)�

针对磨料微粉精细分级存在的困难,自行设计了过滤分级装置。研究了料浆浓度、原料粒度、滤层粒度和厚度以及横截面积对β-SiC微粉过滤分级结果的影响。实验结果表明:该分级装置可以实现亚微米粒径的精细分级,可稳定获得W3.5、W2.5、W1.5的β-SiC微粉产品,分级精度好、分离效率高,实现了对β-SiC微粉窄级别的分级。

sic mosfet 桥式驱动电路 驱动新品牌si8273 内含原理图 PCB图 实物亲测可用 驱动电压15V 电路元件参数都已标明 自举电路电容参数，RCD吸收尖峰电路 电阻电容等参数

宽禁带SiC材料被认为是高性能电力电子器件的理想材料,比较了Si和SiC材料的电力电子器件在击穿电场强度、稳定性和开关速度等方面的区别,着重分析了以SiC器件为功率开关的电力电子装置对电力系统中柔性交流输电系统(FACTS)、高压直流输电(HVDC)装置、新能源技术和微电网技术领域的影响。分析表明,SiC电力电子器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、损耗小、动态性能优良等特点,在较高电压等级(高于3 kV)或对电力电子装置性能有更高要求的场合,具有良好的应用前景。

学术规范与研究生论文写作指导课程中对论文的写作分析 包括论文介绍、文章结构、词句分析、总结四部分

blast检测方案，比价了ZF,MMSE,ZF-SIC,MMSE-SIC四种检测算法的性能

V-BLAST over rayleigh fading channel ZF equalizer with dimension 2x2 4x4 and 2x4

ZF、MMSE、ZF.SIC、 MMSE—SIC这4种算法的性能优劣,并用Matlab进行仿真,分析了这些算法的性能.结果表明,性 能最好的为MMSE—SIC,这是zf

1200V碳化硅肖特基二极管是固锝电子新推出的第三代SiC肖特基二极管。 可以实现超低的反向恢复时间，优越的高温反向漏电流，优化提升开关损耗，很好的提高了电动汽车、混合动力汽车、通信、工业和商用等电源类产品的使用效率。