SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性
SiC@SiO2同轴纳米电缆超疏水表面的制备、机理及稳定性，赵健，李镇江，近年来，为了获得自清洁及抗腐蚀表面，人们对SiC@SiO2同轴纳米电缆的超疏水改性产生了极大兴趣。在室温下，以FAS(CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3)�
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