本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计，见附件下载其原理图和测试代码等。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω(上桥+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图: 双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器特点: 1、具有电源指示、控制输出指示。 2、转速可调、工作方式，工作电流、衰减方式均可通过拨码开关调节 3、抗干扰能力强 4、具有温度保护和过电流保护 5、可单独控制多种规格的两相混合式步进电机 6、可实现最大功率160W 附件资料截图:

TC4426A/TC4427A/TC4428A 双路高速功率 MOSFET 驱动芯片

不错的ＭＯＳＦＥＴ驱动电路文档，较为详细的介绍了几种MOSFET的驱动电路！

介绍并分析研究了几种较简单实用的驱动电路,给出了电路图,部分仿真波形或实验波。

随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。

这是一个大功率高频MOSFET驱动电路，望对相关学者有用！

设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置，图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置，Body Diode 参数采用默认设置。

MOSFET及MOSFET驱动电路总结，很好的笔记！！

AN-1001_正确计算IGBT 和 MOSFET 驱动

MOS管对于感性负载的驱动性能测试