TC4426A/TC4427A/TC4428A 1.5A双高速功率MOSFET驱动器特性 • 峰值输出电流高：1.5A • 输入电源电压工作范围宽： - 4.5V 至 18V • 容性负载驱动能力强：25 ns 内 1000 pF （典型 值） • 延时时间短：30 ns （典型值） • 匹配的上升、下降和延时时间 • 电源电流低： - 对于逻辑 “1”，输入电流：1 mA （典型值） - 对于逻辑“0”，输入电流：100 µA （典型值） • 输出阻抗低：7Ω （典型值） • 锁定保护：能够经受 0.5A 的反向电流 • 输入能够经受住 高 5V 的负输入 • ESD 保护：4 kV • 与 TC426/TC427/TC428 和 TC4426/TC4427/ TC4428 引脚兼容 • 节省空间的 8 引脚 MSOP 和 8 引脚 6x5 DFN 封装 应用 • 开关式电源 • 线路驱动器 • 脉冲变压器驱动 基本说明 TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件是早先 TC4426/ TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进型。除了 匹配的上升和下降时间之外， TC4426A/TC4427A/ TC4428A 器件还具有匹配的上升和下降延时时间。 在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有 很高的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达 5V 的干扰 尖峰（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件 能够接受强行返回至输出的高达 500 mA 的反向电流 （无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部 引脚都是完全静电放电 （Electrostatic Discharge， ESD）保护的，能够承受至多 4 kV 的静电。 TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET 驱动器，能够 在 30 ns 之内，轻松地对 1000 pF 的门极电容进行充 电 / 放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗， 确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态 也不会影响期望状态。 封装类型 注 1：DFN 封装裸露的焊垫是电气绝缘的。 8 引脚 DFN(1) NC IN A GND IN B 2 3 4 5 6 7 81 1 2 3 4 NC 5 6 7 8 OUT A OUT B NC IN A GND IN B VDD TC4426A TC4427A TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4428A TC4428A NC OUT A OUT B VDD TC4426A TC4427A NC OUT A OUT B VDD TC4428A NC OUT A OUT B VDD 8 引脚 MSOP/ PDIP/SOIC 2006 Microchip Technology Inc. DS21423E_CN 第 1 页

这本《 Arduino快速功率MOSFET驱动器食谱》演示了三种廉价的选项来驱动大型功率MOSFET的快速运行。

本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计，见附件下载其原理图和测试代码等。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω(上桥+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图: 双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器特点: 1、具有电源指示、控制输出指示。 2、转速可调、工作方式，工作电流、衰减方式均可通过拨码开关调节 3、抗干扰能力强 4、具有温度保护和过电流保护 5、可单独控制多种规格的两相混合式步进电机 6、可实现最大功率160W 附件资料截图:

TC4426A/TC4427A/TC4428A 双路高速功率 MOSFET 驱动芯片

不错的ＭＯＳＦＥＴ驱动电路文档，较为详细的介绍了几种MOSFET的驱动电路！

介绍并分析研究了几种较简单实用的驱动电路,给出了电路图,部分仿真波形或实验波。

随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单，高效，快速的驱动芯片。

这是一个大功率高频MOSFET驱动电路，望对相关学者有用！

设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置，图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置，Body Diode 参数采用默认设置。

MOSFET及MOSFET驱动电路总结，很好的笔记！！