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上传时间: 2021-10-20 15:45:14
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设计中,根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数,利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置,图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置,Body Diode 参数采用默认设置。