硫化锌（ZnS）薄膜由于其在新一代纳米电子和光电设备中的潜在应用而吸引了越来越多的关注。 ZnS的物理和化学性质对于不同的应用具有卓越的质量。 而且，掺杂有各种元素的ZnS正在为学术研究和工业应用创造一个新时代。 因此，改性ZnS薄膜的光学性质将有助于我们找到合适的掺杂元素以方便沉积，从而可以提高薄膜的电导率和透射率。 进行这项审查工作是为了探索构成Cu，Ni，Co和Fe的四种变质元素，它们是对应于Zn的原子序数从高到低的顺序，同时考虑到近期与其他掺杂元素一起进行的研究工作，还发现了一些潜在的应用，例如Al，C，Pt等。例如，FE，FET，催化，太阳能电池，电致发光，燃料电池，各种传感器（化学传感器，生物传感器，湿度传感器，光传感器，UV光传感器）和纳米发电机均使用ZnS薄膜。

高收缩聚酯薄膜的合成及性能研究，袁雪，陈昭军，本实验运用自制的反应装置,通过添加第三单体的方法对PET进行了共聚改性, 使改性聚酯的结晶能力降低，获得在通常情况下不能结晶的PET

利用TFCALC薄膜设计软件包对TiO2/SiO2, Ta2O5/SiO2和Si/SiO2膜系中心波长为1315 nm的硅镜反射特 性进行了仿真模拟。给出了正入射与45°斜入射情况下三种膜系硅镜的反射特性,并进行了分析与讨论。

Macleod 介绍

% n1=1.2 n0=1; n2=1.5; n1=1.2; langmuda=400*10^(-9); h=0:0.0001*langmuda/1.2:langmuda/1.2; x=n1*h; j0=0; j1=asin(n0*sin(j0)/n1); f=4*pi*n1*h*cos(j1)/langmuda; a=n0-n2; b=n0+n2; c=((n0.*n2)./n1)-n1; d=((n0.*n2)./n1)+n1; A=a^2*(cos(f/2).^2)+c^2*(sin(f/2).^2); B=b^2*(cos(f/2).^2)+d^2*(sin(f/2).^2); R=A./B; plot(x,R,'-r'); hold on; %n1=1 n0=1; n2=1.5; n1=1; langmuda=400*10^(-9); h=0:0.0001*langmuda:langmuda; x=n1*h; j0=0; j1=asin(n0*sin(j0)/n1); f=4*pi*n1*h*cos(j1)./langmuda; a=n0-n2; b=n0+n2; c=((n0.*n2)./n1)-n1; d=((n0.*n2)./n1)+n1; A=a.^2.*(cos(f./2).^2)+c.^2.*(sin(f./2).^2); B=b.^2.*(cos(f./2).^2)+d.^2.*(sin(f./2).^2); R=A./B; plot(x,R,'-k'); hold on;

纳米孔阵列的透射增强现象在许多领域都具有重要的应用和前景。采用时域有限差分(FDTD)方法对金属薄膜纳米孔阵列的透射增强特性进行了模拟研究。针对圆孔半径、薄膜厚度、阵列周期以及不同材料等因素进行了分析，讨论了不同参数条件下透射增强谱线的变化规律。研究表明大的圆孔半径和薄的薄膜厚度有利于提高透射性能，另外孔阵列周期较大时不利于增强透射。探讨了不同小孔形状对透射增强的影响，并采用矩形孔阵列进行了对比。最后通过改变薄膜材料计算了相应的透射性能。

设计了Si 衬底上Ge 薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构，理论计算了上下反射镜Si/SiO2的对数、吸收区Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO2的对数分别为2 和3，Ge 薄膜的厚度为0.46 μm ，器件的台面面积小于176 μm2 时，探测器在中心波长1.55 μm 处的外量子效率达到0.64，比普通结构提高了30 倍，同时器件的带宽达到40 GHz。

利用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,通过对激光等离子体的粒子成分以及空间分布的诊断,实现了等离子体成分的选择性沉积。在不降低光谱范围和透过率指标的前提下,解决了类金刚石(DLC)薄膜和硫化锌(ZnS)基底的牢固结合问题; 通过改进基底平台的扫描方式,在激光烧蚀沉积工艺中沉积了80 mm的大面积均匀类金刚石薄膜。制备的类金刚石/ZnS镀膜样品,光谱范围为0.53～12 μm,其中1.3～11 μm波段透过率在70%以上,膜层均匀性优于95%,可耐受环境湿度95%～100%,工作温度-45～85 ℃,附着力达到国军标要求。研究表明,利用类金刚石薄膜可以明显提高ZnS材料的耐冲击、耐高温、耐辐射和抗沙粒、盐、雾和尘埃的磨损侵蚀等能力。

基于PVDF压电薄膜的脉搏测量系统研究(1)基于PVDF压电薄膜的脉搏测量系统研究(1)

光学薄膜技术第三章--薄膜制造技术.doc