在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大产生61.5 μV的变化。

系统介绍带隙基准实现机理并对版图和前后仿真要求作出简要总结

为了在更高的电源电压下工作，并便于匹配网络的设计，电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺进行设计，该功率放大器的中心工作频率为2.45 GHz，并利用Cadence公司的spectreRF进行仿真。

二维声子晶体带隙计算，XY色散关系计算，matlab编程

matlab计算光子晶体光纤带隙,使用FDTD方法,方便好用

针对圆柱壳结构的减振问题, 本文提出一种局域共振型圆柱壳类声子晶体结构, 通过在圆柱壳圆周方向布置弹簧振子实现。该声子晶体的能带结构研究结果表明, 该结构能够形成两条低频带隙, 一条带隙的起始频率低至650 Hz, 带宽为330 Hz, 另一条带隙具有更低的频率范围, 为0~371 Hz, 带隙的形成是由于圆柱壳和弹簧振子振动的耦合。进一步分析了声子晶体的圆柱壳质量与弹簧振子的质量比、弹簧振子的刚度和元胞宽度对带隙的影响。对有限周期圆柱壳结构的传输特性分析, 验证了局域共振型圆柱壳声子晶体在带隙范围内的抑制振动的能力。研究结果为圆柱壳结构的减振问题提供了理论参考。

提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源。电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器，而是采用负反馈技术实现电压箝位，简化了电路结构；输出部分采用调节型共源共栅结构，保证了高的电源抑制比。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现，并用HSPICE进行仿真，结果表明所设计的电路在-45℃～125℃范围内的温度系数为12.9×10-6/℃，频率为10Hz时的电源抑制比为67.2dB。该结构可应用于高速模数转换器的设计中。

二维声子晶体的三维模型下的能带计算，周期性结构，元胞带隙 上传资源需要重新计算 板类声子晶体，三维模型能带计算

研究了材料和基底的吸收对二维光子晶体的影响，采用传输矩阵法沿某一晶格方向对光子晶体进行分层，然后基于各层传输矩阵求解能带结构。研究发现，吸收使原来不存在带隙的频率上出现新带隙，而原有带隙则得到拓展，其中TE 波受吸收的影响比TM 波大.

为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性，设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流，通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加，进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25 μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明，在5 V电源电压下，在-40 ℃～125 ℃温度范围内，基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃，低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V～5 V范围内，基准电压的线性调整率为0.09 mV/V。