CCD_CMOS图像传感器基础与应用.ppt

基于ARM的CMOS数字图像传感器图像采集系统的研究与设计 是一篇比较好的硕士论文

　　当前固体微光器件以EBCCD 及EMCCD 器件为主，随着CMOS 工艺及电路设计技术的发展， 微光CMOS 图像传感器的性能在不断提高，通过采用专项技术，微光CMOS 图像传感器的性能已接近EMCCD 的性能， 揭开了CMOS 图像传感器在微光领域应用的序幕。

OmniVision 的 130 万像素 HDR 图像传感器 OV10640，可提供 12 位原始图像数据

2、分段式多路并行输出的高速线阵CCD RL1282D、RL1284D、RL1288D器件： 分别具有256、512或1024像元 像元尺寸：18×18×18 (单位：微米) 双沟道器件 每128像元为一段，每段又分奇偶两个沟道并行输出 整个器件的输出时间大大地缩短，器件的工作速度提高。

OV6946初始化代码OVM6946驱动代码OV426 OV426+OV6946R1C_Res 400x400 30fps ;OV6946 R1C 04-05-16 RGB BAYER RAW 10 BIT OUTPUT 6c 0103 01 ; reset 6c 3025 06 。。。。。 。。。。。 6c 302a 01; (00)1.25x 6c 3205 00; sensor reset release (J)

400万像素 RGB和红外一体图像传感器 OmniVision's OV4682 1/3" Optical format CMOS Image sensor, that captures high-resolution images and videos as well as IR information. Its dual RGB-IR Camera capabilities allow it to bring a host of additional features to machine vision applications and by combining RGB - IR in a single camera module reduces the total cost and saves space.

CCD Image Sensors in Deep-Ultraviolet : Degradation Behavior and Damage Mechanisms / by Flora M. Li, Arokia Nathan. 章节： 1.CCD Image Sensors 2.Instabilities in Si, SiO2, and the Si-SiO2 Interface 3.Effects of Radiation on the Si-SiO2 System 4.Interaction of UV Radiation with the Si-SiO2 System 5.Interaction of DUV Radiation with CCD Sensors 6.Concluding Remarks & Future Research

电荷耦合器件(CCD)图像传感应用中，通过非实测手段获取器件的干扰效应阈值非常重要，有时甚至是唯一手段。分析了行间转移型CCD 单像素饱和与串扰等典型激光干扰效应的影响因素，研究了垂直拖尾、光晕和串扰3种效应的物理本质间的内在联系与区别，初步证实垂直拖尾系数对串扰效应而言为非敏感参数。提出了基于饱和信号电荷量、像元尺寸、量子效率以及光晕抑制率等器件参数，从现有的效应数据预估相似器件单像素饱和阈值、串扰线饱和阈值的外推方法。对柯达面阵CCD 器件的饱和阈值测量与干扰效应实验显示，预估结果与实验值之间的偏差量分别为3%和20%，属于可以接受的范围，表明预估方法切实可行。

针对单板CMOS图像传感器采集的Bayer模板的数据，结合FPGA硬件结构FIFO_DFF构成3×3插值模板，提出一种改进的双线性插值算法。插值过程中利用当前要还原的分量同通道的水平、垂直以及两个对角线方向上的已知分量进行边缘检测，用梯度小的方向的分量进行插值还原缺失的分量。实验结果表明，在FPGA中使用该算法插值得到的图像色彩准确，增强了图像的边缘和细节，图像清晰度高。