图1 TSMC 0.35pm CMOS工艺参数下光电探测器的器件模拟
图1（a）模拟了工作二极管响应电流与外加反压的关系曲线，三条曲线分别为无光照、光照强度分别为1WZcm2、25w/cm2，光波长为0.85gm时工作二极管的响应电流，以二极管面积为20×20 ptm＇计算，输入光功率分别为4 pW（-23 dBm）和100 pW（-10 dBm），图中可见无光照的响应电流（对应暗电流）约为10-15A数量级，光照强度为1 Wcm2时产生0.16 μtA光电流，响应度为0.04 A/W。光照强度为25 W；cm＇时产生4.8 pA光电流，响应度为0.048 A/W。后者完全能够满足C
2021-12-13 21:34:56
98KB
1
CM0S工艺是为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中，而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应（latch－up）及独立优化N沟和P沟器件，人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS，包含N阱、P阱、局部氧化硅（LOCal Oxidation of Silicon，Locos）隔离、N＋多晶硅栅，以及源漏区。典型的双阱CMOS工艺包括以下几步：
（1）轻掺杂深度扩散形成N阱和P阱。N阱
2021-12-09 15:03:50
80KB
1
为了提高工作速度和响应度，往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点：（1）由于高的势垒，因此有较低的暗电流；（2）工作速度高；（3）高阻抗适于焦平面阵列读出电路；（4）通过调整本征层的厚度可以调整其量子效率和工作速度；（5）器件可以在低偏压下或者零偏压下工作[12]。在PIN结构中，本征层起到了至关重要的作用，其厚度需要认真优化，因为它既影响了效率又影响了器件速度。图3－25是一种常见的GaN ΠN光电探测器结构四，首先在600°C下淀积⒛nm厚的低压缓冲层到蓝宝石称底，接着淀积500 nm厚的n￣Al0.5Ga0.5N层，然后生长本征层1.Al 0.4Ga 0.6N。本
2021-10-14 13:38:36
86KB
1
光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势，包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激光器、化合物半导体光电探测器、硅基长波长光电探测器等。
2021-09-12 17:26:41
2.59MB
1
行业-电子政务-基于激光器和共振光电探测器的智能波分多路复用系统.zip
2021-09-11 09:02:24
3.14MB
行业资料-电子功用-Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
2021-09-10 09:02:20
429KB
1