基于硅基CMOS工艺的集成光电探测器

上传者: 38703295 | 上传时间: 2021-12-09 15:03:50 | 文件大小: 80KB | 文件类型: -
CM0S工艺是为重要的微电子制造技术,具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺,单阱工艺只含一个阱(N阱或者P阱)。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上,而将PMOS寺刂作在N阱中;若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中,而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应(latch-up)及独立优化N沟和P沟器件,人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS,包含N阱、P阱、局部氧化硅(LOCal Oxidation of Silicon,Locos)隔离、N+多晶硅栅,以及源漏区。典型的双阱CMOS工艺包括以下几步:
  (1)轻掺杂深度扩散形成N阱和P阱。N阱

文件下载

评论信息

免责申明

【只为小站】的资源来自网友分享,仅供学习研究,请务必在下载后24小时内给予删除,不得用于其他任何用途,否则后果自负。基于互联网的特殊性,【只为小站】 无法对用户传输的作品、信息、内容的权属或合法性、合规性、真实性、科学性、完整权、有效性等进行实质审查;无论 【只为小站】 经营者是否已进行审查,用户均应自行承担因其传输的作品、信息、内容而可能或已经产生的侵权或权属纠纷等法律责任。
本站所有资源不代表本站的观点或立场,基于网友分享,根据中国法律《信息网络传播权保护条例》第二十二条之规定,若资源存在侵权或相关问题请联系本站客服人员,zhiweidada#qq.com,请把#换成@,本站将给予最大的支持与配合,做到及时反馈和处理。关于更多版权及免责申明参见 版权及免责申明