研发人员无一例外的同声谴责采购和工艺部门，对元器件控制不严，致使电路板入检 合格率低、到客户现场后频频出毛病。并举出了诸多文献实例和专家发言来佐证自己的论断， 并希望我也能随声附和几句，可以借此给相关物料和制造部门施加一点压力，但最后我让他 们失望了

6.1  任务分析  STC89C51 单片机最小系统原理如图 6.1 所示。此系统包含了线性稳压及其保 护电路、震荡电路、复位电路、发光二级管指示电路、单片机 P0 口上拉电路以 及 4 个 10 针插座。其中插座讲单片机个信号引出，可以扩展各种运用电路。 由于制作条件限制，本项目要求制作大小为 60mm*80mm 的单面电路板，电 源、地线宽 1mm，其他线宽 0.6mm，间距 0.6mm。绘图时 U1 的原理图和封装 需要自己绘制、上拉电阻原理图需要自己绘制、电解电容封装需也要自己绘制。 电路所用元件以及封装见下表 6.1。 图 6.1 STC89C51 单片机最小系统原理图 表 6.1 元器件列表

MEMS加速度计原理     技术成熟的MEMS加速度计分为三种:压电式、容感式、热感式。压电式MEMS加速度计运用的是压电效应，在其内部有一个刚体支撑的质量块，有运动的情况下质量块会产生压力，刚体产生应变，把加速度转变成电信号输出。     容感式MEMS加速度计内部也存在一个质量块，从单个单元来看，它是标准的平板电容器。加速度的变化带动活动质量块的移动从而改变平板电容两极的间距和正对面积，通过测量电容变化量来计算加速度。Freescale的MMA7660FC这一款加速度计（3-Axis Orientation/Motion Detection Sensor），这一款芯片也是利用这一原理

被动元器件基础知识，有关电容，电感，电阻等的完整介绍，讲得很好，值得一看

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

图1是使用FT-82-43的双线绕法的变压器，既所使用平衡－不平衡变压器l:1（或者输人输出相反为1:1）的阻抗变换电路。这里图（a）是仅能在接地线路公用的电路中使用。 　　图1 使用平衡一不平衡转换器的1:4阻抗变换电路 　　图1（b）是使用了2个相同特性的平衡一不平衡变压器。这样，使接地线路交流分离，所以在如图9所示的高频放大器的平衡输出电路中被利用。 　　图2 阻抗变换电路的平衡输出电路的应用 　　4：1的阻抗变换电路作为输入阻抗低的高频功率晶体管、FET的输人匹配电路经常被使用。 　　照片1是在图1（a）的电路中，研究1:4连接（4R＝200Ω，下方的曲线）和4:1连

电容器容量的标识方法主要有直标法、数码法和色标法三种。 　　(1)直标法。将电容器的容量、耐压及误差直接标注在电容器的外壳上，其中，误差一股用字母来表示。常见的表示误差的字母有J(±5％)和Κ(±10％)等。例如，47nJ100表示容量为(47nF或0.047 pF)±5％，耐压为100V。 　　当电容器所标容量没有单位时，在读其容量时可按如下原则：当容量在t ； 10＾之间时，单位为pF；当容量大于to＇时，单位为ptF° 　　(2)数码法。用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，第三位表示倍率，即乘以10″，刀的范围是1～9。例如，222表示22×to＇＝2200

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用于电子元器件包装的防静电包装管用打钉机的制作方法.docx

电子元器件基础知识大全，各种第一节、 电阻器 第二节 电容器 第三节 电感器 第四节 半导体二极管 第五节 半导体三极管 第六节 场效应管(MOS管) 第七节 集成电路