sony新出的1寸 2000万像素cmos，imx283 cmos初始化代码， 实测可用， 在海思平台验证

本书是《CMOS射频集成电路设计》的第二版，这本被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络以及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题，因此是高年级本科生和研究生学习有关射频电子学方面课程的理想教科书，对于从事射频集成电路设计或其他领域实际工作的工程技术人员也是一本非常有益的参考书。 【作者简介】 - CMOS射频集成电路设计（第二版）

IMX335LQN-C是对角6.52毫米（1 / 2.8型）CMOS有源像素型固态图像传感器，具有正方形像素阵列和5.14 M有效像素。 该芯片采用模拟2.9 V，数字1.2 V和接口1.8 V三重电源供电，功耗低。 通过采用R，G和B原色马赛克滤镜，可以实现高灵敏度，低暗电流和无拖影。 该芯片具有带可变积分时间的电子快门。 （应用程序：监视摄像机，FA摄像机，工业摄像机）

CM0S工艺是为重要的微电子制造技术，具有廉价、可批量制造、成品率高等优点。早期的CMOS工艺通常采用单阱工艺，单阱工艺只含一个阱（N阱或者P阱）。若为P型衬底则将NMOS直接制作在衬底上，而将PMOS寺刂作在N阱中；若为N型衬底则将NM0S制作在P阱中，而将PMOS直接制作在衬底上。为了减少闩锁效应（latch－up）及独立优化N沟和P沟器件，人们采用双阱工艺。图1所示为双阱CMOS，包含N阱、P阱、局部氧化硅（LOCal Oxidation of Silicon，Locos）隔离、N＋多晶硅栅，以及源漏区。典型的双阱CMOS工艺包括以下几步： 　　（1）轻掺杂深度扩散形成N阱和P阱。N阱

中文版经典的CMOS模拟集成电路设计教材

艾伦CMOS模拟集成电路设计及课后答案

传统的数字图像处理通常采用图像采集卡,将模拟电视信号转换成数字信号,然后由PC机进行软处理。这样不仅不够灵活,处理能力也受到PC机和软件的限制。随着CMOS成像芯片工艺的改进和数字信号处理器功能的提升,使得数据量与计算量较大的图像硬处理成为可能。本文详细介绍了通过两路CMOS摄像头采集图像,以浮点DSP为核心处理器,采用60万门FPGA实现逻辑控制的数字图像采集处理系统的设计原理和实现方法。本系统所采用的芯片与器件,在保证性能的同时,兼顾低功耗,整个系统可以由1394线缆供电。 1 原理概述 整个系统的原理框图如图1所示。系统上电后,FPGA配置子板把配置文件加载到FPGA中。DSP由

主要是介绍了dsp+cmos这种架构，可以开发基于dsp的视觉处理的东西

0 引言 　　采样／保持电路是模数转换器的重要组成部分，它的性能决定着整个A／D转换器的性能。随着科学技术的发展，系统对A／D转换器的速度和精度要求越来越高，因此，设计一个高性能的采样／保持电路就显得尤为重要。 　　一般的采样保持电路都是采用开关电容电路来实现的。由于MOS开关固有的电荷注入与时钟馈通效应，采样／保持电路一般难以得到理想的情况。尽管已经提出了许多技术和电路结构［1］但是电荷注人和时钟馈通效应所导致的非线性对电路性能的影响还是很大。 　　采样／保持电路的另外一个设计难点在于运算放大器的设计。采样／保持电路的精度决定于放大器的增益，高增益的运算放大器能够保证采样／保持电路达到

Systematic Design of Analog CMOS Circuits