LPC2214 参考设计硬件PROTEL原理图+封装库，软件例程，器件技术手册

安全技术-网络信息-原位法制备金属纳米线网络透明电极PbI3基光电器件中的应用研究.pdf

该系统软件设计中，成功编译并仿真VHDL源程序，且对仿真图进行合理分析。在硬件实验过程中，对VHDL源程序进行成功下载，所得实验结果与软件仿真结果完全相符，从而证明电梯运行控制器的设计满足系统功能要求。

西安电子科技大学可编程逻辑器件研究生实验报告1-5+myself，spartan6实验板-勤谋lx16

完整英文电子版 Telcordia GR-468-CORE：2004 Generic Reliability Assurance Requirements for Optoelectronic Devices Used in Telecommunications Equipment （用于电信设备的光电器件的通用可靠性保证要求）。本通用要求文件 (GR) 介绍了 Telcordia 对电信设备中使用的大多数光电设备（例如异步和同步光纤终端和分插复用器（TM 和 ADMS）、数字交叉连接系统、 光放大器、通用或集成数字环路载波系统和光纤在环 (FITL) 系统。 本文档中涵盖的设备包括有源设备，例如激光器（激光二极管和激光模块）、发光二极管（LED 和 LED 模块）、光电探测器（光电二极管和探测器或接收器模块）以及电吸收 (EA) 和外部调制器 预计使用寿命为 20 年，无论封装样式或集成水平如何。

1 、场效应器件（含JFET、MESFET、 MOSFET）2、双极器件（含BJT 、HBT）3 、光电子器件（含 太阳能电池、光电探测器、LED）4 、微波器件（含隧道二极 管、IMPATT 、Gunn二极管

Capture 使用过程中需要批量更改元件属性怎么办？如何提高修改元件效率？运用批量修改元件技巧可以让你的设计事半功倍

NMOS的掩膜和典型工艺流程 * Mask 确定对象 工艺流程 出发点 P型掺杂硅晶圆(=75-200mm)，生长1m厚氧化层, 涂感光胶 (Photoresist) 1 有源区 紫外曝光使透光处光胶聚合, 去除未聚合处(有源区)光胶, 刻蚀(eching)氧化层, 薄氧化层(thinox)形成, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶 2 离子注入区 曝光, 除未聚合光胶, 耗尽型NMOS有源区离子注入, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶 3 多晶硅线条图形 曝光, 除未聚合光胶, 多晶硅刻蚀, 去除无多晶硅覆盖的薄氧化层，以多晶硅为掩膜进行n扩散，漏源区相对于栅结构自对准，再生长厚氧化层, 涂感光胶 4 接触孔窗口(Contacts cut) 曝光, 除未聚合光胶, 接触孔刻蚀, 淀积金属层, 涂感光胶 5 金属层线条图形 曝光, 除未聚合光胶, 金属层刻蚀, 钝化玻璃层形成, 涂感光胶 6 焊盘窗口(Bonding pads) 曝光, 除未聚合光胶, 钝化玻璃层刻蚀

AD2018版更强大，更高效快捷，能够帮助你更好的，学会设计电子电路。丰富的图库帮助你对器件的封装有更加深刻的理解。

I/O Buffer Information Specification （IBIS）V7.0，文档更新于2019年3月15日