NMOS的掩膜和典型工艺流程-4-集成电路器件工艺

NMOS的掩膜和典型工艺流程 * Mask 确定对象 工艺流程 出发点 P型掺杂硅晶圆(=75-200mm)，生长1m厚氧化层, 涂感光胶 (Photoresist) 1 有源区 紫外曝光使透光处光胶聚合, 去除未聚合处(有源区)光胶, 刻蚀(eching)氧化层, 薄氧化层(thinox)形成, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶 2 离子注入区 曝光, 除未聚合光胶, 耗尽型NMOS有源区离子注入, 沉淀多晶硅层, 涂感光胶 3 多晶硅线条图形 曝光, 除未聚合光胶, 多晶硅刻蚀, 去除无多晶硅覆盖的薄氧化层，以多晶硅为掩膜进行n扩散，漏源区相对于栅结构自对准，再生长厚氧化层, 涂感光胶 4 接触孔窗口(Contacts cut) 曝光, 除未聚合光胶, 接触孔刻蚀, 淀积金属层, 涂感光胶 5 金属层线条图形 曝光, 除未聚合光胶, 金属层刻蚀, 钝化玻璃层形成, 涂感光胶 6 焊盘窗口(Bonding pads) 曝光, 除未聚合光胶, 钝化玻璃层刻蚀