内含全志 H3 H5 配套DDR EMMC 数据手册及原理图库 PCB库 emmc：KLM8G1WEPD-B031 ddr H5TC8G63CMR-PBA K4B8G1646Q-Samsung

**重要提醒: 解读已更新到v2, 最后更新时间22021-7-11 161631** 此文档对于JESD标准LPDDR4做中文解读，轻松理解LPDDR4标准。 为何有此文档? > 笔者曾经在dram领域摸爬滚打数年，深深感受到spec标准文档的理解直接影响到dram知识技术的认知和层次，理解spec文档将极大提高dram水平。数年经验化成一篇解读，不要让时间浪费在不断地寻找spec标准含义的过程中，而是站在经验者之上更上一层楼！ 祝每个看过此文档的人都可以为"被某国打压的dram技术"增加技术储备！ 解读示例: 1 Byte Mode: 什么是Byte Mode? > 顾名思义，是字节模式。标准的LP4是x16, 即双字节，Byte Mode即是x8, 2个x8组 成标准的x16. 有人有疑惑: 为什么要搞这样的模式?标准都是x16不挺好吗？ > 为高容量颗粒而做. x8只占8根数据线，可以组2颗成x16，这样就会比x16做的容 量更大。 2 CK_t和CK_c代表什么? > CK_t: CK True, 代表差分信号的正极性clock, 也就是"真"clock/主clock; CK_c: CK Complement, 代表差分clock的负极clock. 3 CKE和CK的区别： > CKE是指dram clock时钟 enable与否，注意它和上面的CK有本质区别，CKE可以 理解为是颗粒侧的时钟，但CK是controller和dram交互的时钟。 CK如果没有了，CKE没有意义。但CK如果有，CKE可有可无。 CKE拉低，颗粒进入power down模式，可以节省功耗。 4 ZQ为什么一般是240欧姆呢? > 因为一般dram都是通过并联电阻实现设置为指定的电阻值，一般工业级的电阻值 是34, 40, 60, 80, 120欧姆，取最小公倍数，即240欧姆! ......还有更多... ** 本文档不仅仅是LP4 spec标准文档，而是spec的注释解读 ** ** 翻译成中文? 当然不是翻译, 翻译放到网站上随便都可以翻译出来，此文是带着理解的解读! 深挖spec内部的原理，让您事半功倍！不要被spec卡住您的前途！ ** 因为解读是注释，即文中黄色或绿色下划线的注解，试读看不到，正在想方法如何显示给大家看。 ** 行业标准： 作者有数年spec经验. ** 专业: 数年dram问题debug，spec解读专业到位。 ** 咨询: 承诺文档解读有疑问，可以免费每天3个问题的解答。 ** 退款: 作者承诺如果对于文档解读不满意，可线下联系作者申请退款，作者就有这样的自信敢承诺！ ** 更新: 不定期进行文档更新，保证每读一遍都有不一样的感受。 ** 再次提醒: 试读看到的是标准LP4 spec, 批注注释才是本文档的价值所在!! 千万不要以为仅仅是LP4 spec!!

DDR原理详解.pdf

The H5TQ4G43AFR-xxC, H5TQ4G83AFR-xxC and H5TQ4G63AFR-xxC are a 4GbCMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the mainmemory applications which requires large memory density and high bandwidth. 4Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the CK), Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 8-bit prefetched to achieve very high bandwidth.

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RK平台用eMMC选型表。更新于2020年06月05日。需要的小伙伴可以下载，有其他相关文档的需要，欢迎留言，看到后，手里有的定会发出。

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