半导体光放大器

碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温，高频，抗辐照，大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.

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通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。

半导体物理复习资料 西安电子科技大学微电子学院的课件 期末考试必考的啊

界系统芯片的领导厂商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一个性能空前的而成本极具竞争力的新系列光电鼠标IC。该产品是ST自主开发的新的标准光电鼠标IC系列产品的第一款产品，ST新光电鼠标IC将给客户带来高集成度、优秀的导航性能、低功耗等好处，同时成本结构严格保持在PC配件市场的水平。 　　新产品VT5363是一个没有活动组件的完全固态的跟踪定位引擎，支持双键、三键或五键带滚轮编码器的鼠标设计。该芯片含有一个自动选择接口的双口USB/PS2端口，并可以直接通过USB或PS2端口供电。片内的一个6MHz单谐振器为芯片提供所需的全部时钟信号，客户可以使用一个外接EEPROM存储器实现

为了深入研究量子点半导体光放大器(QD-SOA)的特性, 建立了量子点半导体光放大器子带导带的三能级系统模型。把系统载流子的速率方程与其他文献采用的速率方程进行了对比优化。通过数值计算得到了瞬态解, 并得到载流子在放大器各能级态的浓度分布, 验证了量子点中能级分立特性。利用电子和空穴各自的占有几率在基态成一定的线性关系, 在稳态下对速率方程求解, 得出了量子点半导体光放大器相关的增益特性, 以及增益特性与基态电子的占有几率之间的关系。结果表明量子点半导体光放大器具有很高的饱和增益和微分增益, 较低的阈值电流等特性。说明量子点半导体光放大器具有比其他体材料和量子阱光放大器更加优异的特性。为光放大器的设计提供了有力的理论指导。