IGBT的结构与特性pdf

MOSFET／IGBT驱动集成电路及应用--人邮出版社--王水平 著--2009[337页]

详细介绍了IGBT有源钳位测试平台的搭建，测试中需要关注的参数，对驱动电路设计的验证，对IGBT关断的有效保护。

根据输出频率，决定 MOSFET 的导通时间和关断时间，并产生栅极脉冲。 我们需要 50Hz 的交流电源，因此一个周期 (0 < t < 2π) 的时间周期为 20 毫秒。 如图所示，MOSFET-1 在前半个周期 (0 < t < π) 被触发，在此期间 MOSFET-2 未被触发。 在此时间段内，电流将沿箭头方向流动，如下图所示，完成交流输出的半个周期。 来自负载的电流从右到左，负载电压等于+Vdc/2。在后半周期（π < t < 2π），MOSFET-2 被触发，较低的电压源与负载连接。 来自负载的电流从左到右方向，负载电压等于 -Vdc/2。 在这段时间内，电流将如图所示流动，交流输出的另一半周期完成。 半桥逆变器在 MATLAB 中的仿真 对于仿真，在来自 Simulink 库的模型文件中添加元素。 1) 2 个直流电源 – 每个 50V 2) 2 个 MOSFET 3

AUDIO-IGBT器件静电防护注意事项.pdf

IGBT驱动保护技术，利用pspice对电路的工作状态和过流保护状态进行仿真，结果证明改进的驱动保护可以解决现有逆变器存在的问题

基于 SG3525设计IGBT升压斩波电路

IGBT并联联的资源分享 这类资源十分欠缺 而且还是英飞凌公司高级工程师的方案分享 不可错过 想想都留口水啊 快点下载吧 同时也希望大家能好好研读

三菱第5代IGBT模块应用技术资料目录

塞米控 培训，IGBT驱动相关设计及器件选型 IGBT驱动必须提供足够的栅极峰值电流 在栅极驱动回路应该保持较小的杂散电感 栅极/发射极电阻和栅极/发射极电容(像Ciss) 必须非常靠近 IGBT 关断状态必须有非常低的阻抗 高频电容必须非常靠近IGBT驱动放大器 不要使用双极晶体管作为放大器 保持栅极/发射极的距离以防止过压