1.1 概论-计算机的概念与类型.ppt
1.2 概论-计算机的诞生和发展.ppt
1.3 概论-计算机系统的组织.ppt
1.4 概论-计算机的性能指标.ppt
2.1 数值型数据.ppt
2.2 字符型数据.ppt
2.3 数据处理与存储.ppt
2.4 基本运算方法.ppt
2.5 数据的校验.ppt
3.1 CPU概述.ppt
3.2 指令系统.ppt
3.3 加法器与运算部件.ppt
3.4 模型机CPU-1、2-指令与数据通路.ppt
3.4 模型机CPU-3-指令流程与微命令.ppt
3.4 模型机CPU-4-组合逻辑控制.ppt
3.4 模型机CPU-5-微程序控制方式.ppt
2022-09-29 17:26:22
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第4章存储器 11.一个8K8位的动态RAM芯片,其内部结构 排列成256256形式,存取周期为0.1s试问采用 集中刷新分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔 各为多少? 解:采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms,其中 刷新死时间为:2560.1ps=25.6s 采用分散刷新方式刷新间隔为: 256(0.1卩s+0.1s)=51.2s 采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms 15.设CPU共有16根地
2022-09-19 23:10:37
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一、实验目的：
1、了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；
2、了解半导体存储器怎样存储和读取数据；
3、了解双端口存储器怎样并行读写；
4、熟悉TEC-8模型计算机中存储器部分的数据通路。
二、实验仪器设备及实验环境：
1、TEC-8实验系统
2、逻辑测试笔
3、实验环境：组成原理实验室
三、本实验所需信号
双端口存储器实验电路图
名称 功能说明
SBUS =1时，数据开关SD7～SD0的数送数据总线DBUS
MBUS =1时，将双端口RAM的左端口数据送到数据总线DBUS
LAR =1时，在T3的上升沿，将数据总线DBUS上的D7～D0写入地址寄存器AR
LPC 当它为1时，在T3的上升沿，将数据总线DBUS上的D7～D0写入程序计数器PC
MEMW =1时，在T2为1期间将数据总线DBUS上的D7～D0写入双端口RAM写入的存储器单元有AR7～AR0指定
ARINC =1时，在T3的上升沿，AR加1
PCINC =1时，在T3的上升沿，PC加1
四、微程序控制方式下实验步骤设计：
1、微程序控制方式下，由控制器
2022-09-16 19:05:02
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