根据输出频率,决定 MOSFET 的导通时间和关断时间,并产生栅极脉冲。 我们需要 50Hz 的交流电源,因此一个周期 (0 < t < 2π) 的时间周期为 20 毫秒。 如图所示,MOSFET-1 在前半个周期 (0 < t < π) 被触发,在此期间 MOSFET-2 未被触发。 在此时间段内,电流将沿箭头方向流动,如下图所示,完成交流输出的半个周期。 来自负载的电流从右到左,负载电压等于+Vdc/2。在后半周期(π < t < 2π),MOSFET-2 被触发,较低的电压源与负载连接。 来自负载的电流从左到右方向,负载电压等于 -Vdc/2。 在这段时间内,电流将如图所示流动,交流输出的另一半周期完成。 半桥逆变器在 MATLAB 中的仿真 对于仿真,在来自 Simulink 库的模型文件中添加元素。 1) 2 个直流电源 – 每个 50V 2) 2 个 MOSFET 3
2021-06-27 19:56:30 20KB matlab
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2021-06-24 08:50:30 2.36MB 逆变电源
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本文详细介绍了MOSFET的UIS测试,也称为雪崩耐量测试,国内做这方面的人不多,好东西大家一起分享吧
2021-06-17 20:33:57 125KB mosfet UIS
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英飞凌技术资料,基于数据手册进行Mosfet损耗计算和评估,可以使用该文档大致估算MOSFET的损耗
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MOSFET驱动变压器设计方法,非常有用,作为驱动脉冲变压器设计方法参考
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罗列了一些Spice Model相关的资料,从Device特性开始,到BSIM model的建模方法及其实践,针对于先进工艺节点,考虑更是良多,有些Paper对于IC设计有一定的指导作用,比如,随着温度,Length NFin Trend等等去指导和预估设计...
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MOSFET管驱动电路的资料,基本的东西都讲到了,可以看一下
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