IGBT研发新进展 　　IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低成本技术，主要采用1ｕm以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。　　1、低功率IGBT　　IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机

随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50V；最大电流20kA，能实现4个象限的运行。

设计中，根据IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手册中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲线及相关参数，利用saber提供的Model Architect菜单下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，图5-1所示MOSFET DC Characteristics设置，图5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics设置，Body Diode 参数采用默认设置。

提高IGBT模块测试与故障诊断速度的秘诀

双脉冲测试，是设计IGBT驱动时必须要做的实验，本文详细介绍了测试方法。

IGBT专用CONCEPT驱动手册，详细介绍了CONCEPT使用方法

MOSFET, IGBT及宽禁带功率器件栅极驱动器设计基础

本书讲解了普拉动 IGBT双脉冲测试方法、流程及测试数据分析等，通俗易懂！

该资源是在英飞凌官网找到大致估算IGBT得死区时间，对于使用H桥驱动的很有帮助。而且这是中文版的。

发个个人多年来从事高压脉冲电源的工作的一点经验总结。