本工具采用VS2008编写，能够利用Jlink完成对Nandflash的烧写，方便了那些开发板上只有NandFlash的人。整个过程只需两步，比直接用jlink烧写快。本工具暂时支持对不超过256k的文件进行烧写，主要是用来烧写u-boot。

该资源是nand flash 的中英文，献给不喜欢看英文的朋友，或是刚刚接触flash的同志！

LPC1788开发板 NAND FLASH YAFFS2源码 网友xi_liang转官方的

镁光B17a fortis_nand TLC flash verilog model。 镁光NAND闪存的仿真verilog模型。

Nand Flash 启动过程详解，详细解说的资料

三星经典nand flash verilog模型 三星经典nand flash verilog模型 三星经典nand flash verilog模型 三星经典nand flash verilog模型

基于stm32的hal库和FSMC的nand驱动 包含坏块处理,其中自动累加地址,只要设置好首地址就可以.自动坏块处理

主要介绍NAND Flash工作原理，命令，操作时序及常见问题。

NAND Flash 读写驱动 Flash型号：S34MS01G2 主要功能： CheckS34MS01G2，核对ID，检查NAND Flash 是否正常工作 BlockErase， 擦除Block ProgramPage/ProgramBlock， 写Page或者写Block，写Block用了Cache，会更快 ReadPage/ReadBlock, 读Page或者读Block，读Block用了Cache，会更快

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星 k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据 的，故实际中可使用的为64MB。 NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：