MOSFET Vds 电压测试注意事项docx,开关管作为开关电源产品中最贵的元器件之一，也是最容易损坏的元器件。一般开关管的损坏有两种原因：一个是温度，一个是Vds电压超标。

汽车级完全可配置 8 通道高/低侧 MOSFET L9945 使用总结

MOSFET管优势 　　1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 　　2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 　　3.可以用作可变电阻。 　　4.可以方便地用作恒流源。 　　5.可以用作电子开关。 　　6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。

MOSFET, IGBT及宽禁带功率器件栅极驱动器设计基础

MOSFET及MOSFET驱动电路总结，很好的笔记！！

瑞萨科技公司宣布推出包括5 W输出RQA0002在内的三种高频功率MOSFET，用于手持式无线电设备及类似设备中的传输功率放大，通过使用新工艺和新封装，实现了高效率*1、并大大减小了封装的尺寸。 在2005年5月，将在日本开始无线电天线1 W输出RQA0001的批量生产，在7月份开始5 W 输出RQA0002的批量生产，在4月22日开始3 W 输出RQA0003的批量生产。 这些新产品的主要特性如下。 (1) 在低电压下实现高效率 由于大多数商用和休闲用无线电设备是手持式的，要求高频功率MOSFET提供适合电池驱动和高效率的低压操作，使通信时间可以延长。通过使用新工艺，这三种产品在3.6

随着半导体器件和电路技术的最新发展，如今D类音频放大器在电视/家庭娱乐，音响设备和高性能便携式音频应用中得到广泛的应用。高效率，低失真，以及优异的音频性能都是D类放大器在这些新兴的大功率应用中得到广泛应用的关键驱动因素。然而，如果输出功率桥接电路中的MOSFET如果选择不当，D类放大器的上述这些性能将会大打折扣，特别是输出功率比较大的时候。因此，要设计一款具有最佳性能的D类放大器，设计师正确理解驱动喇叭的器件关键参数以及它们如何影响音频放大器的性能是至关重要的。

本文给出了计算mos管的功耗以及确定工作温度的步骤。

做电路设计实验的同学可以参考参考

MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 结论1：L   Ids  tox  Ids  L + tox  Ids   减小L和tox引起MOSFET的电流控制能力提高 结论2：W  Ids  P 减小W引起MOSFET的电流控制能力和输出功率减小 结论3：( L + tox+W)Ids=C  AMOS 同时减小L，tox和W， 可保持Ids不变，但导致 器件占用面积减小，电路集成度提高。 总结论：缩小MOSFET尺寸是VLSI发展的总趋势！ *