提出了一种基于介质和石墨烯涂层的结构来进行古斯-汉欣位移调控, 利用传输矩阵法研究了该结构参数对共振角及共振角处反射光的古斯-汉欣位移的影响。数值模拟结果表明, 共振角随介质层厚度的增加逐渐增大, 而随石墨烯费米能级的增加逐渐减小; 古斯-汉欣位移大小随介质层厚度的增加先增加后减小, 而随石墨烯费米能级的增加单调减小。介质层厚度对共振角的影响较为显著, 而石墨烯费米能级对古斯-汉欣位移的影响较为显著。
2021-04-27 20:32:19 6MB 材料 古斯-汉欣 石墨烯 共振角
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在密度泛函理论的框架内,研究了电场对两个石墨烯片(G / MoS2 / G)之间的MoS2单层电子性能的影响。 我们表明,在垂直于G / MoS2 / G超晶格的方向上施加的正负电场会显着改变整个系统的电子结构,从而可以控制能隙值。 结果表明,在费米能级附近,无论有没有外场,能量色散几乎都是线性的。 我们通过检查C原子状态的预计密度和石墨烯内的电荷重新分布以及由电场驱动的石墨烯和MoS2层之间的电荷转移,阐明了间隙调整的机制。 这些发现是对G / MoS2 / G系统的实验研究的有益补充,并为该超晶格在快速和高通断开关晶体管方面的非凡性能提供了理论解释。
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