三星经典nand flash verilog模型 三星经典nand flash verilog模型 三星经典nand flash verilog模型 三星经典nand flash verilog模型
2021-10-26 20:51:16
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基于stm32的hal库和FSMC的nand驱动 包含坏块处理,其中自动累加地址,只要设置好首地址就可以.自动坏块处理
2021-10-25 16:41:43
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NAND Flash 读写驱动
Flash型号：S34MS01G2
主要功能：
CheckS34MS01G2，核对ID，检查NAND Flash 是否正常工作
BlockErase， 擦除Block
ProgramPage/ProgramBlock， 写Page或者写Block，写Block用了Cache，会更快
ReadPage/ReadBlock, 读Page或者读Block，读Block用了Cache，会更快
2021-10-14 16:08:33
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NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星 k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据 的，故实际中可使用的为64MB。
NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
2021-10-10 22:48:20
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本资源为三星系列Nand Flash芯片K9F5608的驱动代码，用C语言开发，具有良好的编程风格，已经过实际调试验证，可用于实际工程开发。
2021-09-29 20:35:28
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三星K9GAG08U0D--2G Nand Flash驱动(S3C6410--4Bit硬件ECC校验)，完全原创，在ok6410（2G nand falsh）上测试通过，能实现6410硬件编解码
4 bit ECC并能纠正数据错误！
2021-09-26 10:57:17
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