本研究的目的是分析作为爱因斯坦引力和非线性电动力学（NED）的解而产生的规则时空中的光子运动。 光子不再遵循背景时空的零地线，而是遵循有效时空几何体的零地线，其中除了时空几何体外，电磁非线性也直接得到反映。 将光子的运动与不受非麦克斯韦电磁场的非线性直接影响的中微子的运动进行比较，并遵循背景时空的零大地测量学。 我们确定了规则的Bardeen黑洞的阴影，它们代表了广义相对论与光子和中微子相关的NED以及与电荷相关的NED的特殊解决方案，并将它们与相关的Reissner–Nordstrom黑洞的阴影进行了比较。 我们证明，直接的NED效应清楚地表明了常规黑洞的存在，其水平高达最近观测技术可检测到的$ 20 \％$$$ 20％。 我们还证明了NED效应对在Bardeen时空中移动的光子的偏转角以及黑洞视界附近的光子和中微子运动的时间延迟的强烈影响。

使用大型强子对撞机上的CMS检测器，搜索重化的马约拉纳中微子（N），使其变成W玻色子和轻子。 使用在质心能量为8 TeV的质子-质子碰撞中在2012年期间收集的19.7 fb -1的数据来搜索两个射流以及两个相同符号电子或相同符号电子-μ对的签名。 发现该数据与预期的标准模型（SM）背景一致，并且在类型1跷跷板机制的范围内，在质量乘积范围内生产重马约拉纳中微子的横截面时间与支化分数的上限设定了上限 在40至500 GeV之间。 该结果还被解释为对重的马约拉纳中微子和SM中微子之间混合的限制。 在所考虑的质量范围内，| V eN |的上限范围为0.00015–0.72。 2 | 6.6×10 -5 -0.47 | V eN VμN * | 2 /（| V eN | 2 + | VμN | 2），其中VℓN是描述重中微子与风味the的SM中微子混合的混合元素。 这些限制是对超过200 GeV的重大马约拉纳中微子质量的最严格的直接限制。

中微子振荡的发现引发了许多尚未解决的基本物理学问题。 其中两个问题很简单，易于陈述且至关重要：中微子质量的值是多少？ 中微子是马约拉纳费米子吗？ 我们不知道这些问题的答案的原因是，在超相对论体系之外很难测量中微子的性质。 我们讨论了接近阈值的eγ→eνν的物理学，其中一个人可以访问非相对论中微子，而只有非相对论中微子。 在接近阈值时，eγ→eνν′是一个丰富的现象，其横截面对中微子质量的各个值和中微子的性质敏感。 我们表明，如果可以扫描阈值区域，则可以很容易地确定最轻的中微子的质量，中微子的质量有序化以及中微子是否为马约拉那费米子。 但是，实际上，事件发生率很小，背景非常广泛。 在亚eV体制中，对eγ→eνν的观察似乎在实验室中是完全无法接近的。 尽管如此，我们的结果有效地说明了非相对论中微子可观测物的辨别力。

最近的作品[Y. Huang和B.-Q. 妈妈 物理 [1，1，62（2018）]将IceCube观测到的所有四个PeV中微子与伽马射线爆发相关联，并显示出规律性，这表明洛伦兹违规标度ELV =（6.5±0.4）×1017 GeV，符号因子s =±1 在中微子和反中微子之间。 中微子和反中微子（“反之亦然”）与“时间延迟”和“时间提前”事件的关联只是一个假设，因为IceCube检测器无法分辨中微子的手性，因此需要进一步的实验测试以验证该假设。 我们在标准模型扩展（SME）框架中得出CPT奇数Lorentz违反参数的值，并对超腔中微子（或反中微子）的电子-正电子对发射进行阈值分析。 我们发现Y. Huang和B.-Q提出了不同的中微子/反中微子传播特性。 Ma可以在SME框架中描述为具有Lorentz不变性和CPT对称性违例，但具有阈值能量约束。 建议一种可行的方法来测试中微子和反中微子之间的CPT对称性违规。

在本文中，我们将讨论暗物质粒子an灭为右旋中微子的特殊情况。 我们计算了来自银河系中心的预计伽玛射线过量，并将我们的结果与费米-拉特实验的数据进行了比较。 带有较重暗物质粒子的约10-60 GeV右旋中微子可以完美解释观测到的光谱。 an没横截面＆lt;σv＆gt;落入范围0。 5–4×10 -26 cm 3 / s，与WIMP ni没横截面大致兼容。

在超级神冈大学使用核去激发γ射线测量中微子和反中微子氧的中性类准弹性相互作用，以从T2K中微子（抗中微子）的14.94（16.35）×1020质子对靶暴露的数据中识别类似信号的相互作用。 ）光束。 测得的氧核通量平均截面为⟨σν-NCQE⟩= 1.70±0.17（stat。）-0.38 + 0.51（syst。）×10-38 cm2 /氧气，通量平均能量为0.82 GeV，⟨ 中微子和反中微子的σν-NCQE⟩= 0.98±0.16（stat。）-0.19 + 0.26（syst。）×10-38 cm2 /氧气，通量平均能量为0.68 GeV。 这些结果是迄今为止最精确的结果，抗中微子的结果是该通道的首次横截面测量。 将它们与各种理论预测进行比较。 还讨论了目前和将来的水切伦科夫探测器对搜寻超新星遗迹中微子的背景评价的影响。

根据提供的文件信息，无法直接生成详细的文章知识，因为文件内容未被完整展示。不过，可以基于文件的标题“单片机论文外文文献和中文翻译(有出处)”来推测其可能涉及的知识点。以下是对“单片机”相关知识点的详细阐述。 单片机，又称微控制器或微处理器，是电子工程领域中一类十分重要的微处理器。其特点在于它将计算机的主要功能集成到一块单个的芯片上。单片机被广泛应用于各类控制系统的开发中，例如家用电器、汽车电子、工业控制、仪器仪表、医疗设备等。 单片机的基础结构主要分为CPU、存储器、输入/输出接口以及定时/计数器四个部分。其中，CPU负责处理数据和执行程序；存储器分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM），分别用于临时存储和永久存储程序代码及数据；输入/输出接口负责与外部设备的连接；定时/计数器用于对事件进行计时或计数。 单片机的分类方式多样，常见的有按照指令集（如8051系列、AVR系列、PIC系列等）、按照位数（8位、16位、32位等）以及按照应用领域来进行分类。不同种类的单片机，其性能、价格以及适用的场合各不相同。 单片机的编程语言通常包括汇编语言和高级语言，其中汇编语言是一种低级语言，更接近机器语言，执行效率较高，但编写难度大；高级语言如C语言，具有较好的可读性和可移植性，是目前应用最为广泛的编程语言。 在开发单片机应用程序时，一个重要的步骤是编写程序代码，并通过编译器将其转换为单片机可以执行的机器代码。在这一过程中，需要针对目标单片机的硬件特性来编写相应的驱动程序和中间件。 单片机技术的发展，极大地促进了嵌入式系统的普及和智能化应用。在嵌入式系统中，单片机作为核心处理器，与其他硬件组件配合，实现特定的功能。例如，在智能家居控制系统中，单片机可以接收用户的指令，控制家中的灯光、温度、安防系统等。 此外，单片机的选型也是开发者需要特别注意的方面，根据项目的需求选择合适的单片机型号。除了核心性能指标如速度、内存大小以外，还需要考虑功耗、成本、开发工具的成熟度以及社区支持等因素。 单片机的未来发展趋势包括更低的功耗、更高的处理速度、更强的连接能力（如支持无线通信），以及更加丰富的接口类型。这些趋势与物联网、人工智能等前沿技术紧密相关，预示着单片机将在智能化的浪潮中扮演更加重要的角色。 单片机作为现代电子控制领域的一项核心技术，其在功能集成、编程灵活性以及应用普及方面都表现出色，是推动电子技术不断进步的重要力量。

在s = 13 $$ \ sqrt {s} = 13 $$ TeV的pp碰撞下，在Z玻色子的中微子衰变通道中研究了与高能光子相关的Z玻色子的产生（Zγ产生）。 该分析使用的数据样本是2015年和2016年在大型强子对撞机上由ATLAS探测器收集的具有36.1fb-1的综合光度。通过要求显着的横向动量（p T）来选择Z玻色子无形衰减的候选Zγ事件。 双中微子系统与具有大横向能量（ET）的单个孤立光子结合。 Zγ的产生速率是根据光子E T，双中微子系统P T和射流多重性测量的。 在光子E T大于600 GeV的Zγ生产中，正在寻找异常的三重玻色子-玻色子耦合的证据。 相对于标准模型预期，没有观察到过量，并且对ZZγ和Zγγ耦合的强度设置了上限。

中微子质量，物质-反物质不对称性和暗物质的问题可以通过假设马约拉纳质量低于电弱尺度的右旋中微子得以成功解决。 在这项工作中，从LHC的13个TeV质子-质子碰撞中的32.9 fb -1到36.1 fb -1提取的W玻色子的轻子衰变被用来搜索重质中性轻子（HNL），这些轻子是通过与μ子或电子混合而产生的。 中微子。 使用ATLAS检测器以即时和位移的轻子衰变信号进行搜索。 快速签名需要在相互作用点（μμe或eeμ）处产生三个轻子，并在相同风味的相反电荷拓扑上具有否决权。 位移的信号包括来自W玻色子衰变的快速介子，以及要求从相互作用点沿横向平面位移4-300 mm的双峰顶点（μμ或μe）。 该搜索为HNL质量在4.5–50 GeV范围内的HNL与介子和电子中微子的混合设置了约束。

在带有一对带相同或相反电荷的高能电子或介子以及两个高能射流的情况下，进行搜索右手的马约拉那或狄拉克中微子N R和右手的规子玻色子W R。 这些事件是从pp碰撞数据中选择的，该碰撞数据由ATLAS检测器在s = 13 $$ \ sqrt {s} = 13 $$ TeV时采集的积分光度为36.1 fb-1。 没有观察到与标准模型的明显差异。 结果在左右对称模型的理论框架内进行解释，并且在重的右手W玻色子和中微子质量平面中的质量上设置了下限。 对于马约拉纳和狄拉克N R中微子，被排除的区域扩展到m R R = 4.7 $$ {m} _ {R_R} = 4.7 $$ TeV。